[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片有效
| 申请号： | 201320312722.1 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN203339207U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 led 外延 | ||
【权利要求书】：
1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，其特征在于，所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面。
3.根据权利要求1所述的生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为50～80nm；所述非掺杂GaN层的厚度为200～300nm；所述n型掺杂GaN薄膜的厚度为3～5μm；所述InGaN/GaN量子阱为7～10个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为2～3nm；GaN垒层的厚度为10～13nm；所述p型掺杂GaN薄膜的厚度为300～350nm。
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