[实用新型]一种补偿电阻温漂系数的基准电流源电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种基准电流源电路。

背景技术

在CMOS工艺中，MOSFET的工艺参数普遍都与温度有关系，温度变化会影响MOSFET的各项物理特性，进而影响所构成电路的各种性能。而用与温度无关的电流给电路供电时，就可以尽可能减小温度变化对电路的影响，保证了电路的稳定性。基准电流源电路可以产生一路与电源和温度变化无关的基准电流，以为其他电路模块供电，从而避免了温度变化对各个电路模块性能的影响，保证了电路系统的稳定性。因此基准电流源电路在各类模拟系统和混合系统中应用广泛。

目前，一般的基准电流源电路由带隙基准电压源，电压缓冲器和电流镜模块构成。电压缓冲器由一运算放大器，第一电阻及第一晶体管构成。带隙基准电压源用于产生一个与温度变化无关的基准电压，通过电压缓冲器产生一路参考电压除以第一电阻的电流,然后通过电流镜镜像给其他模块供电。在该电路中，虽然带隙基准输出电压与温度无关，但是电阻具有温漂系数，电阻的大小会随着温度的变化而变化，这样最后产生的基准电流还是会随温度的变化而变化，所以无法得到精确的零温漂基准电流。

发明内容

针对上述现有技术存在的技术缺陷，本实用新型提供一种稳定性高、可得到精确的零温漂基准电流的基准电流源电路。

为解决上述技术问题，本实用新型采取的技术方案是：一种补偿电阻温漂系数的基准电流源电路，包括一带隙基准电压源、一电压-电流转换模块、一温度补偿电流产生模块、一电流求和模块，所述带隙基准电压源的输出与电压-电流转换模块的输入端相连接；所述温度补偿电流产生模块的输出端与电流求和模块相连接；所述电压-电流转换模块的输出端与电流求和模块相连接；所述电流求和模块的输出端输出零温漂电流。

作为优选方案，所述的电压-电流转换模块包括一运算放大器，一第一晶体管，一第二晶体管，一第一电阻，所述的运算放大器的正向输入端与所述的带隙基准电压源的输出端相连，所述的运算放大器的输出端与第一晶体管的栅极相连，所述的运算放大器的反向输入端与所述的第一晶体管的源级及所述的第一电阻的一端相连；所述的第一电阻的另一端接电源负极；所述的第一晶体管的漏极与所述的第二晶体管的漏极相连；所述的第二晶体管的漏极和其栅极相连接，其源级与电源正极相连接。

作为优选方案，所述温度补偿电流产生模块包括一正温度系数电流产生模块、一启动电路，所述正温度系数电流产生模块与启动电路相连接。

作为优选方案，所述正温度系数电流产生模块包括第四、第五、第六、第七晶体管和第二电阻，其中第四晶体管与第五晶体管的源级均与电源正极相连，第四晶体管的栅极和漏极相连并且与第五晶体管的栅极相连接于第一节点；第六晶体管的漏极与第一节点相连接，第七晶体管的栅极和漏极相连并且与第六晶体管的栅极相连；第五晶体管的漏极与第七晶体管的漏极相连接于第二节点；第七晶体管的源级和电源负极相连接；第六晶体管的源级与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与电源负极相连。

作为优选的方案，所述启动电路模块包括第九、第十、第十一、第十二晶体管，其中第九晶体管的源级与电源正极相连，其栅极和漏极相连接于第三节点，第十晶体管的栅极和漏级相连接于第三节点；第十一晶体管源级与电源负极相连，其栅极和漏极相连并且与第十晶体管的源级相连接；第十二晶体管的漏级与电源正极相连，其栅极与第三节点相连，其源极与第二节点相连接。

作为优选方案，所述电流求和模块包括第三晶体管及第八晶体管，所述的第三和第八晶体管的源级均与电源正极相连，所述的第三晶体管的栅极与第二晶体管的栅极相连，所述的第八晶体管的栅极与所述的第四晶体管的栅极相连；

所述的第三晶体管的漏极和所述的第八晶体管的漏极相连接输出零温漂系数的基准电流。

本实用新型能够达到的积极效果是：电路结构简单，稳定性和可靠性高，能够得到精确的零温漂基准电压，易于推广使用。

附图说明

图1为本实用新型电路的结构原理图。

图2为本实用新型优选的具体实施例电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细描述。