[实用新型]阵列基板以及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示装置。

背景技术

如图1所示，在传统的IPS(In Plane Switching)液晶显示装置中，其中包括阵列基板1、与阵列基板相对设置的基板2，在阵列基板上交错分布有公共电极3以及像素电极4；通电时，公共电极3与像素电极4之间形成包含有平行于阵列基板1的水平分量的电场。由图1可知，阵列基板1与基板2之间液晶厚度在不同水平位置处基本相同。

图2中，横坐标为对应图1各位置；纵坐标表示的是图1中不同位置处液晶层对应其所在位置电场强度下的液晶偏转幅度示意图；图2中，直线A表示的为其所在位置处液晶层对应的最佳偏转幅度，可知位于最佳偏转幅度的液晶少。

通过上述分析可知以下结论

1：在公共电极以及像素电极的正上方区域水平电场强度弱；

2：公共电极与像素电极水平连线的中点处水平电场强度强。然而不同水平电场强度对应同一厚度的液晶的偏转幅度不同，且液晶偏幅度过大或过小均会导致液晶的透光率偏低。

图3为图1所述液晶显示装置中的各处透光率示意图，公共电极3与像素电极4所在像素内各处液晶偏转幅度存在局部过大或过小，从而透光率不均匀，导致该像素的透光率低，最终导致整个显示面板的平均透光率偏低。

实用新型内容

（一）实用新型目的

本实用新型旨在提供一种透光率高的阵列基板以及液晶显示装置。

（二）技术方案

为达上述目的，本实用新型阵列基板，包括衬底；所述衬底上交替分布有公共电极以及像素电极；所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘的凸起。

优选地，所述凸起由所述公共电极处和所述像素电极水平连线的两端，向所述公共电极和所述像素电极水平连线的中点处平滑拱起。

优选地，所述凸起截面呈半圆状、半椭圆状或波浪状。

优选地，所述凸起与所述衬底为一体成型形成的连体结构。

优选地，所述凸起为设置在所述衬底上的钝化层。

为达上述目的，本实用新型液晶显示装置，包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述第一基板为如上所述的阵列基板。

（三）本实用新型的有益效果

本实用新型的有益效果本实用新型阵列基板以及液晶显示装置，通过在公共电极与像素电极之间设置中间高两边低的凸起，从而像素电极与公共电极之间像素区域内各处的液晶层厚度改变了，从而在水平电场强度不变的情况下，减小了公共电极与像素电极水平连线中点位置处的偏转幅度，增大了公共电极与像素电极水平连线两端处的液晶偏转幅度，从而提升了液晶的透光率，从而提高了液晶层平均透光率，从而提高了液晶显示装置的亮度，且同时具有透光率高，结构简单，制作简便的优点。

附图说明

图1为现有的显示装置的剖面结构及电场分布示意图；

图2为图1所述显示装置各位置处液晶层的液晶偏转幅度示意图；

图3为图1所述显示装置中的各位置处透光率；

图4为本实用新型实施例所述的阵列基板剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例所述的液晶显示装置的剖面结构及电场分布示意图；

图6为图5所述液晶显示转置的各处液晶层的液晶偏转幅度示意图；

图7为图5所述液晶显示装置的各位置处的透光率。

具体实施方式

下面结合说明书附图以及实施例对本实用新型阵列基板做进一步的说明。

如图4所示，本实施例阵列基板，包括衬底11以及交替分布在所述衬底11上的公共电极13与像素电极14，所述公共电极13与像素电极14之间设有绝缘的凸起10。

上述结构，在通电时，公共电极13与像素电极14之间可以形成基本上平行于衬底11的电场，且各处平行衬底11的电场强度可认为相对于现有同型号、同尺寸的阵列基板的电场强度是不变。不同的是在本实施例中所述的阵列基板上设有凸起10，凸起10用于调整组成液晶显示装置后液晶层的厚度，从而通过液晶厚度的改变，改善局部液晶过度偏转以及局部液晶偏转不够的问题，从而提高液晶透光率的均一性，从而提高液晶层的整体透光率。

在具体的实施过程中，所述凸起的各处的厚度可以根据水平电场强度、液晶厚度以及液晶偏转幅度进行设置，而整体上是中间厚两边薄。