[实用新型]一种变频移相全桥变换器的附加电路有效
申请号: | 201320309286.2 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN203326864U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 郑道斌;江晓东 | 申请(专利权)人: | 东莞铭普光磁股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谭一兵;曾云腾 |
地址: | 523330 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变频 移相全桥 变换器 附加 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电子产品中的开关电源,特别涉及一种自动变频功能的移相全桥开关电源转换器,解决其本身低负载(特别是空载)损耗问题,降低空(低)负载损耗,以达到绿色能源要求的低空载损耗的要求,是一种具有自动变频功能的开关电源转换器附加电路。
背景技术
目前电信交换局常见设备直流供电电压为-48V和+24V,而现有的市电、光伏发电或者柴油发电设备等等, 均未能满足需求;开关电源是一项必不可缺的技术部分,而如何降低损耗就变成开关电源一个主要的研究课题。
研究表明,电子设备和电子器件失效的原因有70%以上是由过热引起,开关电源转换器同样面临此问题。作为开关电源的主要工作环节金氧半场效晶体管MOSFET温度过高问题在金氧半场效晶体管MOSFET上尤为突出。金氧半场效晶体管MOSFET在工作时有一定的开关损耗,温度会上升,如果处理不好还会引起管子的通流量减少,严重的会使管子击穿。由于开关损耗与金氧半场效晶体管MOSFET 的开关速度以及金氧半场效晶体管MOSFET的输入和输出电容有关,但是在同样的金氧半场效晶体管MOSFET下,开关损耗与工作频率成正比关系。因此高的工作频率会产生高的开关损耗。由于高的开关频率计环流问题,移相全桥电路低负载(特别是空载)时过热现象尤为明显,由于过热问题,转换器经常会引起故障。对系统的可靠性构成威胁,影响设备的正常使用,也由此造成了能源不必要的浪费。
众所周知,移相全桥控制,控制简单;电压、电流应力小;功率密度大;开关管实现了软开关,提高了电路的效率等广泛应用于开关电源中。但它也存在着一些弊端:为了实现软开关致使占空比损失,尤其是在开关过程中存在环流问题,产生不必要的损耗,阻碍了电路效率的提高。而现有的过热处理的方法主要是散热方法、散热设备、散热器件和导热材料的开发和选取,或者采用更优的器件,成为各制造商提高设备可靠性的关键技术。但是并没有有效的解决电源转换器的自身过热的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中的不足之处,本实用新型提供一种具有自动变频功能的开关电源转换器附加电路,降低开关电源转换器在低负载时的过热现象,保障设备的可靠性供电及能源浪费的问题;解决开关电源中低负载时不必要的能源浪费,保障开关电源的可靠性,降低空(低)载损耗。
为实现上述目的,本实用新型公开了一种变频移相全桥变换器的附加电路,通过以下的技术方案加以实现:
一种变频移相全桥变换器的附加电路,包含电流检测输出电路、比较放大电路、频率变换电路,其中,电流检测输出电路输出端与比较放大电路输入端连接,比较放大电路输出端与频率变换电路输入端连接,频率变换电路包含有金氧半场效晶体管Q。
在其中一些实施例中,所述比较放大电路包含:线性放大器U2A、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C3,电阻R3串联电阻R4,电阻R5串联电阻R6,两组串联电路并联,并联的电阻R3与电阻R5一端连接电源,电阻R3的另一端连接线性放大器U2A的反向输入端,电阻R5的另一端连接线性放大器U2A的正向输入端,电阻R3串联电阻R4后接地,电阻R5串联电阻R6后接地。
在其中一些实施例中,所述线性放大器U2A连接电源,线性放大器U2A的输出端连接频率变换电路的金氧半场效晶体管Q的衬底P,线性放大器U2A的输出端经过电容C3滤波后连接频率变换电路的金氧半场效晶体管Q的栅极G。
在其中一些实施例中,所述电流检测输出电路与比较放大电路之间串联滤波电路,滤波电路是RC滤波器,RC滤波器由电阻R7和电容C4并联构成,电流检测输出电路输出端与RC滤波器输入端连接,RC滤波器输出端与比较放大电路连接,电阻R7和电容C4一端连接电流检测输出电路输出端,电阻R7的另一端连接线性放大器U2A的正向输入端,电容C4的另一端接地。
在其中一些实施例中,所述电流检测输出电路提供一个低电平或者高电平信号,输出到RC滤波器,RC滤波器的电阻R7和电容C4一端连接一通用端口GPIO1。
在其中一些实施例中,所述频率变换电路包含金氧半场效晶体管Q、电阻R2,金氧半场效晶体管Q的漏极D接地,金氧半场效晶体管Q的源极S串联电阻R2后连接FRESET端口。
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置