[实用新型]一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器

权利要求书

1.一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于包括筒形外壳、压电元件、信号输出正极线、信号输出负极线、正极连接线、负极连接线、有机玻璃棒、密封胶层，筒形外壳底部通过有机玻璃棒填充后，所述压电元件放置于有机玻璃棒卡槽中，使得压电元件倾斜放置于筒形外壳内部，所述压电元件负极粘接于有机玻璃棒卡槽底部，所述压电元件负极通过负极连接线与信号输出负极线一端连接，所述压电元件正极通过正极连接线与信号输出正极线一端连接，所述有机玻璃棒与筒形外壳内部之间设置有空隙，用于填充密封胶层，并且密封高度从筒形外壳底部到筒形外壳上端面。

2.根据权利要求1所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述密封胶层包括至少2层密封胶，所述从筒形外壳底部到筒形外壳上端面密封胶层硬度依次增大。

3.根据权利要求2所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述密封胶层为2层时，密封胶层包括第一密封胶层、第二密封胶层，所述第一密封胶层密封筒形外壳底端面，所述第二密封胶层密封第一密封胶层上端面到筒形外壳上端面之间的空隙，所述第一密封胶层沿筒形外壳轴线方向密封高度为P，所述第一密封胶层高度从筒形外壳底端面开始；所述第二密封胶层高度是筒形外壳沿筒形外壳轴线方向密封高度为M，所述第二密封胶层高度从第一密封胶层上端面到筒形外壳上端面。

4.根据权利要求3所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述第一密封胶层硬度范围是30A-50A，第二密封胶层硬度范围是≥60D，所述P是筒形外壳底端面至压电元件的中心位置，M是压电元件中心位置至筒形外壳上端面的位置。

5.根据权利要求3所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述密封胶层还包括第三密封胶层，第三密封胶层设置于第一密封胶层与第二密封胶层之间，所述第三密封胶层沿筒形外壳轴线方向密封高度为N。

6.根据权利要求5所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述第一密封胶层硬度范围是20A-30A，第二密封胶层硬度范围是≥60D，第三密封胶层硬度范围是30A-50A，所述P是筒形外壳底端面至压电元件的最低点，M是压电元件的中心位置至筒形外壳上端面位置，N是压电元件的最低点至压电元件的中心位置，所述压电元件的最低点指的是压电元件后离筒形外壳底端面距离最近的点。

7.根据权利要求5所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述密封胶层还包括第四密封胶层，所述的第四密封胶层设置于第一密封胶层、第三密封胶层之间或第三密封胶层、第二密封胶层之间，所述第四密封胶层沿筒形外壳轴线方向密封高度为Q。

8.根据权利要求7所述的一种宽温度测量的铁轨探伤超声波传感器，其特征在于所述当第四密封胶层设置于第一密封胶层与第三密封胶层之间时，第一密封胶层硬度是20A～30A,第四密封胶层硬度是30A～40A，第三密封胶层硬度是40A～50A，第二密封胶层硬度是大于等于60D，所述P是筒形外壳底断面至压电元件的最低点，M范围是压电元件的最低点至压电元件的中心位置，N范围是压电元件的中心位置至压电元件的最高点，Q范围是压电元件的最高点至筒形外壳的上端面位置，所述压电元件的最低点指的是压电元件后离筒形外壳底端面距离最近的点，所述压电元件的最高点指的是压电元件后离筒形外壳底端面距离最远的点。