[实用新型]一种具有微结构增透膜的高压LED芯片

权利要求书

1.一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，包括多个发光单元，每个发光单元从下至上依次包括宝石衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、量子阱层(4)、P型层(5)和ITO层(6)，每个发光单元还包括P型层上的电极(7)和N型层上的电极(8)，相邻发光单元之间的电极通过连接桥(9)连接，其特征在于每个发光单元还包括覆盖在ITO层上的增透膜(10)，位于ITO层(6)上方的增透膜顶面具有圆柱状微结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述增透膜采用SiON材料。

3.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述增透膜厚度为LED发光波长的四分之一。

4.根据权利要求3所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述微结构的厚度为增透膜厚度的1/10。

5.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述增透膜除覆盖ITO层上方外，还覆盖ITO层上表面至N型层上的电极(8)之间的侧面，且只有ITO层上方的增透膜具有圆柱状微结构。

6.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述增透覆盖芯片的ITO层整个外表面。

7.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述的圆柱状微结构的圆柱底面半径为1.5um，高为100埃。

8.根据权利要求1所述的一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于所述圆柱状微结构的相邻圆柱底面圆心距离为4um~6um。