[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201320302636.2 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN203300639U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 施建根;王小江;顾健 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，其特征在于，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱，所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱，所述第二金属柱通过焊料层连接铜板，所述钝化层为氧化硅层或氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属柱和所述第二金属柱均为铜柱。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电极为两个，每个所述电极上均设有绝缘中空柱状件，两个所述绝缘中空柱状件相互分离。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的高度为5um～20um。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的内径比所述钝化层在所述电极上的开口小8～20um。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的外径比所述电极的外径大8um-200um。
7.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属柱的高度为4.5-19.5um。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属柱的高度为35～115um。
9.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属层包括钛金属层和铜金属层，所述钛金属层上设置所述铜金属层，所述铜金属层上设有第一金属柱和第二金属柱。
10.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片的外围及所述芯片与所述铜板之间填充有树脂。
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