[实用新型]EEPROM数据防丢电路

说明书

技术领域

本实用新型属于EEPROM数据防丢失领域，具体涉及一种EEPROM数据防丢电路。

背景技术

EEPROM是一种具有掉电记忆功能的存贮器，其内容可以像普通RAM一样进行改写，而且改写时能够自动擦除并换成新内容，但是他不像EPROM那样使用紫外线擦除，只需用电即可擦除并改写存贮在其内部的内容，EEPROM通常在内容带有编程电源，由于它只需外接单一+5V电源，故使用十分方便，但是EEPROM存贮器在工业使用时，会受到较大干扰则可能导致其存贮在EEPROM中的数据内容发生改变或丢失，其EEPROM贮存的数据丢失主要发生在系统上电、掉电或复位时，主要表现在(1)当整个数据存贮系统中的CPU在复位信号解除后，一般都将会延时数百μs时间，因此，在这段时间内，读信号、写信号、地址信号和数据信号都可能随机变化，从面造成对存贮器的误写操作而使其中的数据改变。(2)在电源缓慢升降过程中，当CPU处于临界工作状态时，其读写时序可能会出现混乱，从而使存贮器中的数据发生改变。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种结构简单、抗干扰能力强，可有效保护数据，使用稳定性好的EEPROM数据防丢电路。

实现本实用新型目的的技术方案是：一种EEPROM数据防丢电路，包括EEPROM存储器、与所述EEPROM存储器相连接的动态供电电路，所述动态供电电路与单片机P1口中P1.0相连接，还包括与所述EEPROM存储器相连接的复位电路，所述复位电路与所述EEPROM存储器的PIN7相连接，所述复位电路包括一端接电源的电容、与电容串联并接地的第一电阻，所述EEPROM存储器的PIN7连接在所述电容与第一电阻连接处。

所述动态供电电路包括第二电阻、第三电阻和PNP三极管，所述第二电阻的一端连接在单片机P1口中P1.0上，另一端与第三电阻和PNP三极管的基极相连接，所述第三电阻的另一端与PNP三极管的发射极相连接，所述PNP三极管的发射极接电源，集电极与所述EEPROM存储器电源引脚相连接。

所述EEPROM存储器的型号为24LC512。

由电容C1和第一电阻R1组成的复位电路，并连接到EEPROM存储器的PIN7引脚，控制上电复位期间，使得PIN7为高电平，禁止存储器的写操作允许，当复位完成后，PIN7被强制为低电平，存储器的写操作被允许，其可以杜绝在复位期间不确定的因素对存储器的读写操作，且动态供电电路由第二电阻R2、第三电阻R3和PNP三极管组成，且第二电阻R2与单片机上P1口P1.0相连接，当需要对存储器读写数据时，P1.0输出低电平给存储器供电，读写操作完成后，P1.0输出高电平，关闭存储器的供电，当上电，单片机复位时，P1.0输出高电平，即，当上电时，存储器没有供电，其可以有效杜绝起始上电和电源波动对存储在存储器内数据的冲击，避免了存储器内数据发生改变，可有效防止存储器内数据丢失。

本实用新型具有积极的效果：本实用新型的结构简单，抗干扰能力强，在复位和上电时，可有效保护存储器内数据，防止存储器内数据丢失，使用稳定性好。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

(实施例1)

图1显示了本实用新型的一种具体实施方式，其中图1为本实用新型的电路图。

见图1，一种EEPROM数据防丢电路，包括EEPROM存储器1、与所述EEPROM存储器1相连接的动态供电电路2，所述动态供电电路2与单片机P1口中P1.0相连接，还包括与所述EEPROM存储器1相连接的复位电路3，所述复位电路3与所述EEPROM存储器1的PIN7相连接，所述复位电路3包括一端接电源的电容C1、与电容C1串联并接地的第一电阻R1，所述EEPROM存储器1的PIN7连接在所述电容C1与第一电阻R1连接处。

所述动态供电电路2包括第二电阻R2、第三电阻R3和PNP三极管Q，所述第二电阻R2的一端连接在单片机P1口中P1.0上，另一端与第三电阻R3和PNP三极管Q的基极相连接，所述第三电阻R3的另一端与PNP三极管Q的发射极相连接，所述PNP三极管Q的发射极接电源，集电极与所述EEPROM存储器1电源引脚相连接。

所述EEPROM存储器1的型号为24LC512。