[实用新型]一种带爬锡的影像封装结构有效
| 申请号: | 201320296751.3 | 申请日: | 2013-05-24 | 
| 公开(公告)号: | CN203260583U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 | 
| 发明(设计)人: | 罗词松;箫文雄;白书磊 | 申请(专利权)人: | 东莞旺福电子有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 523961 *** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 带爬锡 影像 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器封装领域,具体涉及一种带爬锡的影像封装结构。
背景技术
现有随着科技高速发展,背照式(BSI:Backs ide illumination)技术的与时俱进,像素微小化以及先进制程的技术突破,带动了CMOS影像传感器高像素的市场,目前市场500万,800万像素的封装技术已日益成熟,1300万像素的封装技术也处于积极的研发过程中。本实用新型即针对1300万像素CMOS影像传感器而设计的一种新型封装结构。高像素COB(PLCC)封装结构主要包括电容、电阻、PCB基板、马达驱动IC、CMOS影像传感器与底座,而传统的封装结构中电容电阻、马达驱动IC与CMOS影像传感器中间没有采取隔离措施,电容电阻等被动元件也没有采取Molding的方式包胶隔离。
同时PCB基板背面金手指使用平面结构,无法做爬锡处理。而爬锡处理则可以增加焊锡面积,加强焊锡强度,减少焊锡不良、空焊等故障问题。
例如Sony IXM091,1300万像素CMOS影像传感器每个Pixe l只有1.12μm(H)×1.12μm(V)大小,使得产品对环境的要求非常高,所以必须杜绝在SMT表面贴装工艺后会有锡珠,避免助焊剂污染到CMOS影像传感器的现象,才能保证产品的良率。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型旨在提供一种带隔墙筑墙的底座结构的带爬锡的影像封装结构。
为实现该技术目的,本实用新型的方案是:一种带爬锡的影像封装结构,包括基板、电容、底座、传感器、保护罩,所述传感器、电容和芯片安装在基板上,底座安装在基板上,防护罩设置在底座中心;所述基板背面板边设置有为半弧形边缘的金手指;所述传感器通过绑定金线与金手指连接,绑定金线与金手指之间通过爬锡处理方式焊接。
作为优选,所述底座与基板之间通过粘贴方式或者卡扣结构连接。
作为优选,所述底座的中间设置有凹槽,凹槽将传感器包裹在内,凹槽中间设置有窗口,窗口大小与防护罩相匹配;底座的外围设置有分隔槽,分隔槽与凹槽之间通过隔离墙相隔离,分隔槽将芯片与电容罩在其中。
作为优选,所述防护罩为滤光玻璃片。
本实用新型的有益效果是:通过带隔墙结构的底座可以杜绝在SMT表面贴装工艺后会有锡珠,助焊剂污染到CMOS影像传感器的现象,加强产品的品质,保证产品的良率;通过爬锡处理则是为增加焊锡面积,加强焊锡强度,减少焊锡不良、空焊等问题,同时金手指的弧形设计也可以在焊接后很直观的从边缘半弧处看到金手指与焊锡的接触情况。
附图说明
图1为本实用新型的爆炸图;
图2为本实用新型的剖面图;
图3为本实用新型的基座的立体图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。
如图1、2所示,本实用新型所述的具体实施例为一种带爬锡的影像封装结构,包括基板1、电容2、底座5、传感器4、保护罩6、芯片3,所述传感器4、电容2和芯片3安装在基板1上,底座5安装在基板1上,防护罩6设置在底座5中心;所述基板1背面板边设置有为半弧形边缘的金手指8;所述传感器4通过绑定金线7与金手指8连接,绑定金线7与金手指8之间通过爬锡处理方式焊接。组装过程为:将传感器贴装在已经安装好电容、芯片的基板上,快速固化;随后将金线焊接,并进行清洗;然后在基板上安装底座,进行清洗;最后将保护罩贴装在底座上。
对基板1背面绑定金线7与金手指8之间通过爬锡处理方式焊接后,可以从金手指的边缘半弧处看到金手指与焊锡的接触情况,检查焊接是否良好,可以很好的减少焊接不良或者空焊问题。
为了节约安装时间,提高工作效率所述底座5与基板1之间通过粘贴方式或者卡扣结构连接。
如图2、3所示,所述底座5的中间设置有凹槽9,凹槽9将传感器包裹在内,凹槽9中间设置有窗口10,窗口10大小与防护罩6 相匹配;底座的5外围设置有分隔槽11,分隔槽11与凹槽9之间通过隔离墙12相隔离,分隔槽11将芯片3与电容2罩在其中。通过带隔墙结构的底座可以杜绝在SMT表面贴装工艺后会有锡珠,助焊剂污染到CMOS影像传感器的现象,加强产品的品质,保证产品的良率;同时分隔槽和凹槽可以起到保护元器件的作用。
为了增加透光率,提高传感器的灵敏度,同时也需要一定的强度,保证防护效果,所述防护罩6为滤光玻璃片
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进,均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





