[实用新型]卡接式空心饰品结构有效
申请号: | 201320295161.9 | 申请日: | 2013-05-27 |
公开(公告)号: | CN203302481U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 周德奋 | 申请(专利权)人: | 深圳市瑞金国际投资控股有限公司 |
主分类号: | A44C15/00 | 分类号: | A44C15/00 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李新林 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡接式 空心 饰品 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种饰品结构,更具体地说是一种卡接式空心饰品结构,特别适合纯金饰品或纯银饰品。
背景技术
现有技术中,为了形成体积大,美观且又成本较低的贵金属饰品,通常会想到将饰品制成空心结构。现在的空心结构,在上壳体与底盖的联接处通常采用点焊的方式(如图1所示)。由于点焊的材料,与上壳体、底盖的本体材料有差异,这使得这种结构的饰品因为焊点的存在,而大大地影响其纯度,不利于纯金纯银饰品的市场销售;另外,这些焊点可能在长期的存放过程发生变化,而影响饰品的品质。
因此,为了保证饰品的纯度,需要开发出一种新的饰品结构。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种卡接式空心饰品结构。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
卡接式空心饰品结构,包括带有空腔的上壳体和与上壳体联接的底盖,所述上壳体的下边缘内侧设有用于嵌入底盖的内阶槽;所述底盖的边缘卡接于内阶槽内;所述上壳体的下边缘下端部为向内翻的折边部。
其进一步技术方案为:所述上壳体的下边缘外侧为直形结构;所述的内阶槽为上壳体的下边缘内侧的直角切口。
其进一步技术方案为:所述上壳体的下边缘外侧设有外折边;所述外折边的下方构成所述的内阶槽;所述外折边的外侧下端部设有所述的折边部。
其进一步技术方案为:所述上壳体为曲面结构。
其进一步技术方案为:所述底盖为平面结构或曲面结构。
其进一步技术方案为:所述的折边部包括若干个沿下边缘下端部向下延伸的折片。
其进一步技术方案为:所述的上壳体和底盖为黄金体或白金体。
本实用新型与现有技术相比的有益效果是:本实用新型将底盖卡在上壳体的内阶槽上,通过向内翻的折边部压合在底盖的外侧,使底盖与上壳体之间形成可靠的卡接式固定联接,联接牢固不易变形脱掉;减少了因采用点焊形式而造成饰品纯度的降低;可以用于纯金或纯银等高纯度的饰品。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。
附图说明
图1为现有技术中的空心饰品结构的联接结构(点焊式)的剖面图和及其局部放大图;
图2为本实用新型卡接式空心饰品结构具体实施例的剖面图和及其局部放大图;
图3为图2实施例中的折边部未向内翻时的局部放大图;
图4为本实用新型卡接式空心饰品结构另一具体实施例的剖面图和及其局部放大图。
附图标记
10 上壳体 10A 上壳体
10B 上壳体 11 空腔
12 内阶槽 12A 内阶槽
13 折边部 13A 折边部
18 外折边 19 直形结构
20 底盖 20B 底盖
131 折边部(未内翻状态)
具体实施方式
为了更充分理解本实用新型的技术内容,下面结合具体实施例对本实用新型的技术方案进一步介绍和说明,但不局限于此。
如图2至图3所示,本实用新型卡接式空心饰品结构,包括带有空腔11的上壳体10和与上壳体10联接的底盖20,上壳体10的下边缘内侧设有用于嵌入底盖20的内阶槽12;底盖20的边缘卡接于内阶槽12内;上壳体10的下边缘下端部为向内翻的折边部13。上壳体10的下边缘外侧为直形结构19;内阶槽为上壳体的下边缘内侧的直角切口(即从上壳体的下边缘壁厚处切除一部分,以形成一个直角切口)。
如图4所示的另一具体实施例,上壳体10A的下边缘外侧设有外折边18;外折边18的下方构成内阶槽12A;外折边18的外侧下端部设有折边部13A。
上述实施例中,上壳体10、10A为曲面结构(可以是各种曲面造形,比如空壳的十二生肖动物形状等等);底盖20为平面结构。上壳体和底盖可以是黄金体或白金体,或者其它的贵金属制成。
于其它实施例中,底盖也可以是曲面结构。于其它实施例中,折边部也可以采用若干个沿下边缘下端部向下延伸的折片结构。
综上所述,本实用新型将底盖卡在上壳体的内阶槽上,通过向内翻的折边部压合在底盖的外侧,使底盖与上壳体之间形成可靠的卡接式固定联接,联接牢固不易变形脱掉;减少了因采用点焊形式而造成饰品纯度的降低;可以用于纯金或纯银等高纯度的饰品。
上述仅以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本实用新型的实施方式仅限于此,任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造,均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
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