[实用新型]一种大功率整晶圆平板压接式封装结构有效
| 申请号： | 201320291930.8 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN203260568U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 盛况;汤岑;谢刚;郭清 | 申请（专利权）人： | 苏州英能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/34;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市苏州高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 整晶圆 平板 压接式 封装 结构 | ||
1.一种大功率整晶圆平板压接式封装结构，包括压接而成的上盖和下盖，其两端设置有瓷环和密封组件，其特征在于：
所述上盖和所述下盖形成的腔内依次压接设置有阴极电极金属板、绝缘层板、门极电极金属板、IGBT整晶圆和阳极电极金属板，所述IGBT整晶圆上分布设有多个晶圆单元，所述晶圆单元包括IGBT晶圆阴极区域和IGBT晶圆门极区域，所述阴极电极金属板上分布有阴极凸起电极，所述门极电极金属板上分布有门极凸起电极以及适于所述阴极凸起电极穿过的阴极通孔，所述绝缘层板上分布有适于所述阴极凸起电极穿过的绝缘层板通孔，压接时，所述阴极凸起电极依次穿过所述绝缘层板和门极电极金属板，且与所述IGBT晶圆阴极区域连接，所述门极凸起电极与所述IGBT晶圆门极区域连接。
2.根据权利要求1所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述IGBT整晶圆的晶圆单元出现坏片时，该坏片位置对应的所述门极电极金属板和阴极电极金属板上分别设置的门极凸起电极和阴极凸起电极均被去除。
3.根据权利要求2所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述门极凸起电极和阴极凸起电极被去除后的空间为真空、或填充绝缘气体或绝缘胶。
4.根据权利要求1或2或3中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述门极电极金属板、绝缘层板和阴极电极金属板上分别设置有注胶通孔，绝缘胶通过所述注胶通孔注入各层间的缝隙。
5.根据权利要求4中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述上盖和下盖的外表面分别连接散热器。
6.根据权利要求1或2或3中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述IGBT晶圆门极区域设置在所述晶圆单元的一角，其余部分为所述IGBT晶圆阴极区域。
7.根据权利要求6中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述IGBT整晶圆上均匀分布多个晶圆单元，所述晶圆单元为方形，所述IGBT晶圆门极区域设置在所述方形的一角。
8.根据权利要求7中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述阴极凸起电极与所述IGBT晶圆阴极区域的形状一致，所述门极凸起电极与所述IGBT晶圆门极区域的形状一致，所述阴极通孔与所述阴极凸起电极的形状一致。
9.根据权利要求1中任一项所述的大功率整晶圆平板压接式封装结构，其特征在于：所述门极电极金属板的外缘设置有门极法兰和密封圈，所述阴极电极金属板的外缘设置有阴极法兰和密封圈，所述阳极电极金属板的外缘设置有阳极法兰和密封圈。
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