[实用新型]基于DFB激光器的光学晶体电场传感器有效
| 申请号： | 201320286901.2 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN203324388U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈洪波;白欢;张福州;方欣;段晓方 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;四川电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12;G01R15/24 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 舒启龙 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 dfb 激光器 光学 晶体 电场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，其特征在于：按照光线输出输入顺序依次包括：
-DFB激光器（2）：DFB激光器作为光源，其内装有自动功率控制和自动温度控制电路（1），具有两个方向相互垂直的偏振，并且两个偏振方向的偏振度差别在20dB以上；
-1/4λ玻片（3）：1/4λ玻片的光轴方向与DFB激光器的光轴方向互成45°角；
-Pockels晶体（4）：检测光的相位差反应出电场强度；
-检偏器（5）：检偏器输出光线方向与DFB激光器发射光线方向相互垂直；
-光电探测器（6）：将光信号转换成电信号；
-光电前置放大器（7）：对电信号进行放大以获得适当幅度的电信号。
2.根据权利要求1所述的基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，其特征在于：所述Pockels晶体（4）和检偏器（5）之间还安装有增透膜(8)。
3.根据权利要求1所述的基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，其特征在于：所述DFB激光器（2）内安装有准直透镜（9）。
4.根据权利要求1所述的基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，其特征在于：所述DFB激光器（2）内安装有制冷器和空间准直装置。
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