[实用新型]一种射频功率放大器的增益调节电路有效
申请号: | 201320284109.3 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN203261299U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 龙海波;杨清华 | 申请(专利权)人: | 贵州中科汉天下电子有限公司 |
主分类号: | H03G3/30 | 分类号: | H03G3/30 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 556000 贵州省黔东南苗族侗族自治州凯*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 增益 调节 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器的增益调节电路。
背景技术
随着3G移动通信的深入发展和4G移动通信时代的来临,移动终端利用同一功率放大器(PA,Power Amplifier)实现多模式工作已经成为趋势。其中,不同的工作模式要求功率放大器具有不同的增益,因此,在对移动终端的工作模式进行切换的同时,也需要相应对功率放大器的增益进行调节。
目前的功率放大器增益调节电路引入了例如双极场效应晶体管(BiFET)、赝晶型高电子迁移率晶体管(PHEMT)或绝缘体上硅(SOI)等射频开关工艺来制作开关模块,并利用该开关模块导通/断开的特性选择相应的增益调节网络,从而实现功率放大器增益的调节。现有的这种功率放大器增益调节电路的优势在于:功率放大器工作模式的切换与其增益的调节可独立执行,灵活度高。但与此同时,这种功率放大器增益调节电路也存在明显的不足之处,即,需要对多种工艺进行整合,从而导致了整合复杂度的提升、电路集成度的下降以及电路生产成本的升高。
实用新型内容
为实现本实用新型的目的提供了一种射频功率放大器的增益调节电路,利用开关器件对射频功率放大器的反馈通路或接地旁路进行控制以实现射频功率放大器的增益调节。
本实用新型提供了一种射频功率放大器的增益调节电路,该增益调节电路包括多级串联射频功率放大器,其中至少一级所述射频功率放大器具有反馈通路;该反馈通路中包括控制该反馈通路导通或断开的开关器件。
本实用新型还提供了一种射频功率放大器的增益调节电路,该增益调节电路包括多级串联射频功率放大器,其中至少一级所述射频功率放大器的输出端通过接地旁路与地连接;该接地旁路中包括控制该接地旁路导通或断开的开关器件。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:利用例如二极管、二极管等效模块等具有导通/断开功能的开关器件对射频功率放大器的反馈通路或接地旁路进行控制以实现射频功率放大器的增益调节,而无需引入独立的射频开关工艺来制作开关模块。也就是说,与传统的射频功率放大器增益调节电路相比,本实用新型利用尽可能少的半导体工艺实现了射频功率放大器的增益调节,极大地提高了电路的集成度以及降低了电路的生产成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为根据本实用新型的利用开关器件控制反馈通路通断的射频功率放大器单元的增益调节电路结构示意图;
图2(a)至图2(c)为根据本实用新型一个优选实施例的分别利用二极管、BC结二极管以及BE结二极管控制反馈通路通断的射频功率放大器单元的增益调节电路结构示意图;
图3为根据本实用新型的利用开关器件控制接地旁路通断的射频功率放大器单元的增益调节电路结构示意图;
图4(a)至图4(c)为根据本实用新型一个优选实施例的分别利用二极管、BC结二极管以及BE结二极管控制接地旁路通断的射频功率放大器单元的增益调节电路结构示意图;以及
图5(a)至图5(c)为根据本实用新型另一个优选实施例的分别利用二极管、BC结二极管以及BE结二极管控制接地旁路通断的射频功率放大器单元的增益调节电路结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型的实施例作详细描述。
本实用新型所提供的射频功率放大器的增益调节电路主要适用于移动通信终端,但并不仅限于此,凡是具有射频通信功能的电子设备均可采用本实用新型所提供的增益调节电路。
本实用新型提供了一种射频功率放大器的增益调节电路,该增益调节电路包括多级串联射频功率放大器,其中至少一级所述射频功率放大器具有反馈通路;该反馈通路中包括控制该反馈通路导通或断开的开关器件。为了简明起见,下文以一级射频功率放大器为基本单元,对本实用新型所提供的利用开关器件控制反馈通路通断的射频功率放大器的增益电路进行说明。
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