[实用新型]一种防静电的适配器电路

说明书

技术领域

 本实用新型涉及适配器电路技术领域，特别是涉及一种防静电的适配器电路。

背景技术

来自人体、外部环境和电子设备内部的静电对于适配器内部的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。以上这些半导体芯片的损伤都会对电源适配器造成致命的打击，导致电源无输出。

 静电（ESD）分为接触放电和空气放电两种方式，一般的电源适配器接触放电只能承受到4KV左右，空气放电只能承受到8KV左右.此类电源易受到静电的损伤，从而降低了电源的可靠性。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种防静电的适配器电路，能承受较高的静电电压，电路的抗静电能力强。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

提供一种防静电的适配器电路，包括由市电输入线路及一次侧整流电路、EMI滤波电路、变压器T1和PWM脉冲控制电路组成的输入电路，和由二次侧整流滤波电路和输出稳压控制电路组成的输出电路，所述变压器T1包括初级绕组N1、次级绕组N2、供电绕组N3、屏蔽铜箔N4和铜箔屏蔽层N5，市电输入线路及一次侧整流电路与EMI滤波电路连接，EMI滤波电路与变压器T1的初级绕组N1连接，变压器T1的供电绕组N3与PWM脉冲控制电路连接，变压器T1的次级绕组N2与二次侧整流滤波电路连接，二次侧整流滤波电路与输出稳压控制电路连接；

所述变压器T1的初级绕组N1和次级绕组N2间的元件之间的电气距离和爬电距离均大于8mm；

所述变压器T1的初级绕组N1与次级绕组N2之间的屏蔽铜箔N4接变压器T1的高压正端；铜箔屏蔽层N5设置于供电绕组N3与次级绕组N2之间，同时接变压器T1的高压正端。

其中，所述EMI滤波电路包括输入大电解电容C3，所述输入电路的电源地与输出电路的电源地之间连接有Y电容CY1，所述Y电容CY1的输入接地端单独与输入大电解电容C3的接地端连接；所述变压器T1的供电绕组N3的接地端单独与输入大电解电容C3的接地端连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过将电路采取以下三种措施：第一，变压器T1的初级绕组N1和次级绕组N2间的元件之间的电气距离和爬电距离均大于8mm，较大的安全距离可以保证静电不会从PCB板间耦合过来；第二，调整变压器T1的设计，变压器T1的初级绕组N1与次级绕组N2之间的屏蔽铜箔N4由接到地线改为接到变压器T1的高压正端；在供电绕组N3与次级绕组N2之间增加一层铜箔屏蔽层N5，也接到变压器T1的高压正端，因为静电的能量可以通过屏蔽铜箔N4和铜箔屏蔽层N5传输到变压器T1的高压正端泄放掉，变压器T1的高压正端处远离PWM芯片的引脚，所以PWM芯片不会受到静电的损伤；第三，Y电容CY1的输入接地端单独与输入大电解电容C3的接地端连接；变压器T1的供电绕组N3的接地端单独与输入大电解电容C3的接地端连接，使得与PWM芯片的地线分开，可以避免地线之间的公共阻抗耦合产生的瞬时巨大的感应电流将PWM芯片和光耦损坏，因此，该电路能承受较高的静电电压，电路的抗静电能力强，可更好地保护元件。

附图说明

利用附图对实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1是一种防静电的适配器电路的电路框图。

图2是一种防静电的适配器电路的变压器T1的原理图。

图3是一种防静电的适配器电路的变压器T1的结构图。

图4是一种防静电的适配器电路的原理图。

在图1至图4中包括有：

市电输入线路及一次侧整流电路01；

EMI滤波电路02；

PWM脉冲控制电路03；

二次侧整流滤波电路04；

输出稳压控制电路05；

第一引脚A1；

第二引脚A2；

第三引脚A3；

第四引脚A4；

第五引脚A5；

第六引脚A6。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。

本实用新型的一种防静电的适配器电路，主要应用于对静电要求较高的设备，设计原因如下：