[实用新型]一种超低压启动的低功耗升压式DC-DC转换器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种超低压启动的低功耗升压式DC-DC转换器。 

背景技术

升压式DC-DC转换器广泛应用于电子设备中。近年来随着智能手机的兴起，其配套的移动电源越来越受欢迎，而升压式DC-DC转换器作为移动电源的主要组成部分，为了降低对移动电源自身电池的要求，人们希望移动电源所配置的DC-DC升压转换器的输入电压范围越宽越好，可正常使用的电池电压越低越好，且要求DC-DC升压转换器工作电流、待机电流越低越好，以利于提高电池能量的利用率和延长待机时间。但目前市场上常见的升压式DC-DC转换器很难同时满足以上要求。 

发明内容

为解决上述现有的缺点，本实用新型的主要目的在于提供一种实用的超低压启动的低功耗升压式DC-DC转换器，能够在超低输入电压下启动的低功耗升压式DC-DC转换器，该DC-DC升压转换器能够 在单节电池(1.2V)供电的条件下启动并正常工作，工作电流低于100uA，且有自动待机功能，当输出端没有负载时，自动进入待机，待机时平均电流低于1uA，特别适合用于手机后备电源、移动电源的升压应用。 

为达成以上所述的目的，本实用新型的一种超低压启动的低功耗升压式DC-DC转换器采取如下技术方案： 

一种超低压启动的低功耗升压式DC-DC转换器，其特征在于，控制芯片内部固定连接设置内部电源选择、内部基准与偏置、PMOS功率管high-side、NMOS功率管low-side、电感电流侦测电阻、前沿消隐单元、逐周期过流保护比较器、PWM脉宽调制比较器、控制逻辑与驱动、振荡器、超低压振荡器、待机信号处理、空载侦测比较器、误差放大器、输出电压反馈分压电阻、输出电压反馈分压电阻、控制开关和使能，内部电源选择电路通过Vout分别与PMOS功率管high-side的漏端，控制开关的源端相连，并通过SW与PMOS功率管high-side的漏端，NMOS功率管low-side的漏端相连，通过Vdd与内部各个电路模块的电源端相连；内部基准与偏置通过PG端与超低压振荡器和振荡器相连，并分别通过ref1，ref2以及ref3与误差放大器，逐周期过流保护比较器和空载侦测比较器相连；PMOS功率管high-side为PMOS管，源端通过Vout与内部固定连接设置内部电源选择，控制开关相连，漏端通过SW与内部固定连接设置内部电源选择，NMOS功率管low-side相连，栅端通过PDR与控制逻辑与驱动相连；NMOS功率管low-side为NMOS管，源端通过CS与电感电 流侦测电阻和前沿消隐单元相连，漏端通过SW与PMOS功率管high-side和内部固定连接设置内部电源选择相连；电感电流侦测电阻一端与NMOS功率管low-side源端以及前沿消隐单元相连，一端与GND相连；前沿消隐单元一端与NMOS功率管low-side的源端以及电感电流侦测电阻正端相连，另一端与逐周期过流保护比较器的正端相连，第三端与PWM脉宽调制比较器的负端以及振荡器相连；逐周期过流保护比较器负端通过ref2与内部基准与偏置相连，正端与前沿消隐单元相连，输出通过OCP与控制逻辑与驱动相连；PWM脉宽调制比较器正端通过comp与误差放大器输出和空载侦测比较器的负端相连，负端与前沿消隐单元以及振荡器相连，输出通过PWM与控制逻辑与驱动相连；控制逻辑与驱动分别于逐周期过流保护比较器、PWM脉宽调制比较器、振荡器、待机信号处理、超低压振荡器的输出相连，并分别通过PDR和NDR与PMOS功率管high-side和NMOS功率管low-side的栅端相连；振荡器与前沿消隐单元和PWM脉宽调制比较器的负端相连，通过CLK与控制逻辑与驱动相连，通过PG与内部基准与偏置和超低压振荡器相连；超低压振荡器通过Enable与使能相连，通过PG分别与内部基准与偏置，振荡器相连，通过CLK1分别与控制逻辑与驱动，待机信号处理相连，通过noload分别与待机信号处理、空载侦测比较器相连；待机信号处理通过OFF与控制逻辑与驱动相连，并通过noload与超低压振荡器和空载侦测比较器相连，通过CLK1分别与控制逻辑与驱动、超低压振荡器相连；空载侦测比较器正端通过ref3与内部基准与偏置相连，负端通过 comp与误差放大器，PWM脉宽调制比较器相连，输出通过noload与超低压振荡器和待机信号处理相连；误差放大器正端通过ref1与内部基准与偏置相连，负端通过FB分别与输出电压反馈分压电阻和输出电压反馈分压电阻相连；输出通过comp与空载侦测比较器和PWM脉宽调制比较器相连；输出电压反馈分压电阻正端与控制开关相连，负端通过FB与误差放大器的负端以及输出电压反馈分压电阻相连；输出电压反馈分压电阻的正端通过FB与误差放大器相连，负端与GND相连；使能输入端与EN相连，输出通过Enable与内部各模块的使能端相连；控制开关为PMOS源端通过Vout与PMOS功率管high-side以及振荡器相连，漏端与输出电压反馈分压电阻相连，栅端通过noload与超低压振荡器、待机信号处理、空载侦测比较器相连。