[实用新型]一种基于基板采用开槽技术的封装件

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路封装技术领域，具体是一种基于基板采用开槽技术的封装件。

背景技术

EPBGA的全称是Enhanced Plastic Ball Grid Array（增强型散热球栅阵列封装），它是集成电路采用有机载板+全金属散热片的一种反向封装法。它具有以下特点：①封装面积远小于陶瓷封装；②散热片面积大，散热性能非常良好，适用于超大规模集成电路；③PCB板溶焊时能自我居中，易上锡；④重量轻，可靠性高；⑤电性能好，整体成本低。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

EPBGA依然存在散热性差的问题。

实用新型内容

针对上述EPBGA常规设计的缺陷，本实用新型提供了一种基于基板采用开槽技术的封装件，IC芯片在封装过程中先进行开槽, 芯片通过槽口直接贴在铜板上，其散热性能极好，改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高,可靠性高。

一种基于基板采用开槽技术的封装件主要由引线框架、PAD、锡球、导电胶、芯片、键合线和塑封体组成。所述引线框架上有PAD和锡球，并开有槽口，引线框架通过导电胶在槽口内连接有芯片，芯片上的焊点与引线框架上的PAD通过键合线连接，芯片、键合线、锡球、引线框架构成了电路的电源和信号通道，塑封体包围了引线框架、PAD、锡球、芯片和键合线，塑封体对芯片和键合线和锡球起到了支撑和保护作用。

键合线包括金线,铜线或者合金线。

一种基于基板采用开槽技术的封装件的制作工艺的流程为：晶圆减薄→划片→基板开槽植球→上芯→上芯烘烤→压焊→等离子清洗→后固化→塑封→成品。

附图说明

 图1引线框架剖面图；

图2引线框架植球后剖面图；

图3产品上芯后剖面图；

图4产品压焊后剖面图；

图5产品塑封后剖面图；

图6成品剖面图。

图中，1为引线框架，2为PAD，3为锡球，4为导电胶，5为芯片，6为键合线，7为塑封体。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步的说明。

如图6所示，一种基于基板采用开槽技术的封装件主要由引线框架1、PAD2、锡球3、导电胶4、芯片5、键合线6和塑封体7组成。所述引线框架1上有PAD2和锡球3，并开有槽口，引线框架1通过导电胶4在槽口内连接有芯片5，芯片5上的焊点与引线框架1上的PAD2通过键合线6连接，芯片5、键合线6、锡球3、引线框架1构成了电路的电源和信号通道，塑封体7包围了引线框架1、PAD2、锡球3、芯片5和键合线6，塑封体7对芯片5和键合线6和锡球3起到了支撑和保护作用。

键合线6包括金线,铜线或者合金线。

一种基于基板采用开槽技术的封装件的制作工艺的流程为：晶圆减薄→划片→基板开槽植球→上芯→上芯烘烤→压焊→等离子清洗→后固化→塑封→成品。

    如图1到图6所示，一种基于基板采用开槽技术的封装件的制作工艺，其按照以下步骤进行：

1、晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；

2、划片： 150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

3、基板开槽植球：基板会根据芯片5尺寸划槽，有机基板厚度0.6mm；开槽后在基板上植锡球3，芯片5通过槽口直接贴在铜板上，其散热性能极好；基板为引线框架1；可改善产品的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高，可靠性高；

4、上芯、上芯烘烤、压焊、等离子清洗、后固化同常规EPBGA工艺；

5、塑封, 塑封体7对芯片5和键合线6和锡球3起到了支撑和保护作用,构成了电路的电源和信号通道。

本实用新型的EPBGA封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。EPBGA封装的器件大多数用于航空、网络及通信设备、微机、笔记本电脑和各类平板显示器高档消费市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场前景。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距。