[实用新型]增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片

权利要求书

1.增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，所述狭缝光波导为增强型狭缝光波导，所述增强型狭缝光波导包括中心狭缝槽和增强狭缝槽，中心狭缝槽位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等，增强狭缝槽对称分布与中心狭缝槽两边，方向与中心狭缝槽一致，所述增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域，所述光栅FP腔的光栅为外延型光栅，位于长方形基体外侧，为外凸型齿状光栅。 

2.根据权利要求1所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述增强型狭缝光波导的狭缝为垂直于单晶硅层表面由单晶硅层向下刻蚀形成的狭缝。 

3.根据权利要求1或2所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝深度为单晶硅层厚度。 

4.根据权利要求1所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝槽宽度为80nm～120nm。 

5.根据权利要求1所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅FP腔包括第一光栅和第二光栅，第一光栅和第二光栅均刻蚀于狭缝光波导上，所述第一光栅和第二光栅相隔一定的距离d，且第一光栅和第二光栅具有相同的结构，并在狭缝光波导上形成光栅FP腔。 

6.根据权利要求5所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述的第一光栅或第二光栅包括不少于3个不多于25个周期单元。 

7.根据权利要求6所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的周期为0.3μm～0.6μm之任一值。 

8.根据权利要求7所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的占空比为40%～70%之任一值。 

9.根据权利要求7或8所述的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的纵向长度占所述基体宽度的比例为70%～100%之任一值。