[实用新型]一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片有效
申请号: | 201320266233.7 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN203241339U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 袁国慧;王卓然;高亮 | 申请(专利权)人: | 成都谱视科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 游标 效应 光学 谐振腔 生化 传感 芯片 | ||
1.一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,其特征在于,所述SOI基体的单晶硅层包含第一光学谐振腔和第二光学谐振腔,所述第一光学谐振腔与第二光学谐振腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述生化传感芯片的SOI基体的单晶硅层还包括狭缝光波导,所述狭缝光波导位于第一光学谐振腔和/或第二光学谐振腔的光信号传播路径上。
3.根据权利要求2所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述狭缝光波导的狭缝为垂直于单晶硅层表面由单晶硅层向下刻蚀形成的狭缝。
4.根据权利要求2或3所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述狭缝光波导的狭缝深度等于单晶硅层厚度。
5.根据权利要求2或3所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述狭缝光波导的狭缝宽度为80nm~120nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述第一光学谐振腔为光栅FP腔、外延型光栅FP腔和微环谐振腔之一。
7.根据权利要求1所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述第二光学谐振腔为光栅FP腔、外延型光栅FP腔及微环谐振腔之一。
8.根据权利要求1至3之任一项权利要求所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为光栅FP腔。
9.根据权利要求1至3之任一项权利要求所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为外延型光栅FP腔。
10.根据权利要求1至3之任一项权利要求所述的一种基于游标效应光学谐振腔生化传感芯片,其特征在于,所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为微环谐振腔。
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