[实用新型]锅炉烟气处理系统的污水循环处理池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种污水处理池，尤其涉及一种锅炉烟气处理系统的污水循环处理池。 

背景技术

工业锅炉一般都以煤炭为燃料，燃煤烟气中含有大量微尘颗粒、二氧化硫，氧化氮和炭黑等有毒气体和污染物，一般情况下都严重超过国家《锅炉大气污染排放标准》所规定的上限。 

为解决锅炉烟气排放严重超标的问题，一般都在烟气排放前采用净化塔进行净化处理，使之符合国家《锅炉大气污染排放标准》。目前净化塔的内部结构一般包括喷淋装置和净化装置，净化装置一般采用除雾器，除雾器设于喷淋装置的上方，喷淋装置用于喷洒碱性溶液，如氧化镁吸收法中，喷淋装置喷洒氢氧化镁溶液，使烟气中的二氧化硫与氢氧化镁发生反应而生成亚硫酸镁，而除雾器则除去烟气中的水雾，对烟气进一步净化。经喷淋后的喷淋液落入净化塔的底部，如果直接将喷淋液排放掉，会造成严重的环境污染和水资源浪费，因此，一般都通过设置污水处理池对喷淋液进行净化处理，然后再进行循环喷淋利用。但是，目前的污水处理池结构比较简单，只是对从净化塔底部流出的喷淋液进行沉淀，沉淀其中的微尘颗粒、硫酸镁、亚硫酸镁等，单纯的沉淀效果并不理想，从污水处理池后部抽出进行循环的喷淋液还是含有大量微尘颗粒、硫酸镁、亚硫酸镁等，容易造成管路堵塞、腐蚀管路和喷嘴，并且大幅度降低了对烟气的净化效果等；另外，由于喷淋液中的氢氧化镁与二氧化硫产生化学反应，使得从净化塔底部流出的喷淋液的pH值大幅度降低，酸性过高，因此在污水处理池后部补充适量氢氧化镁时，还需进一步添加碱性液，以进一步将喷淋液的pH值调整到符合要求，这无疑增加了控制环节和材料成本。 

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种锅炉烟气处理系统的污水循环处理池，这种锅炉烟气处理系统的污水循环处理池的净化效果更好，而且能够自动调节pH值，降低污水处理成本。采用的技术方案如下： 

一种锅炉烟气处理系统的污水循环处理池，包括沉淀池，其特征是：还包括过滤池，过滤池设置在沉淀池后方；过滤池中设有煤渣过滤层，过滤池的后部设有循环出水口；所述沉淀池的上部设有循环进水口，沉淀池的下部设有排污口。

从净化塔出来的喷淋液经循环进水口进入沉淀池进行沉淀，沉淀池起到沉淀硫酸镁和微尘颗粒的作用，再经过过滤池作进一步过滤后，喷淋液由循环出水口抽出，输送到净化塔的喷嘴进行喷淋。通过在沉淀池的后方设置包含煤渣过滤层的过滤池，喷淋液流经煤渣过滤层时，煤渣过滤层起到进一步的过滤作用，利用锅炉燃煤燃烧后的煤渣作为过滤层，废物充分利用，无需购买专门的过滤设备，降低了污水处理成本，并且过滤效果好，净化效果更加理想，避免管路堵塞；而且由于煤炭燃烧后的煤渣呈碱性，对呈酸性的喷淋液起到中和作用，降低喷淋液的酸性，使得后面无需添加过多的氢氧化镁或其它碱性液就能达到喷淋液的pH值要求，避免腐蚀管路和喷嘴等，进一步降低了污水处理成本。 

作为本实用新型的优选方案，所述沉淀池包括第一沉淀池、第二沉淀池和第三沉淀池，第一沉淀池、第二沉淀池和第三沉淀池的上部依次相通连接。将沉淀池分设为第一沉淀池、第二沉淀池和第三沉淀池，对喷淋液进行缓冲，分三级沉淀，沉淀后的喷淋液中所含的颗粒更少，沉淀效果更好。 

附图说明

图1是本实用新型优选实施方式的结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和本实用新型的优选实施方式做进一步的说明。 

如图1所示，这种锅炉烟气处理系统的污水循环处理池，包括沉淀池1和过滤池2，过滤池2设置在沉淀池1后方；沉淀池1包括第一沉淀池101、第二沉淀池102和第三沉淀池103，第一沉淀池101、第二沉淀池102和第三沉淀池103的上部依次相通连接；过滤池2中设有煤渣过滤层3，过滤池2的后部设有循环出水口4，沉淀池1的上部设有循环进水口5，沉淀池1的下部设有排污口6。 

通过在沉淀池1的后方设置包含煤渣过滤层3的过滤池2，喷淋液流经煤渣过滤层3时，煤渣过滤层3起到进一步的过滤作用，利用锅炉燃煤燃烧后的煤渣作为过滤层3，废物充分利用，无需购买专门的过滤设备，降低了污水处理成本，并且过滤效果好，净化效果更加理想，避免管路堵塞；而且由于煤炭燃烧后的煤渣呈碱性，对呈酸性的喷淋液起到中和作用，降低喷淋液的酸性，使得后面无需添加过多的氢氧化镁或其它碱性液就能达到喷淋液的pH值要求，避免腐蚀管路和喷嘴等，进一步降低了污水处理成本。而将沉淀池分设为第一沉淀池101、第二沉淀池102和第三沉淀池103，对喷淋液进行缓冲，分三级沉淀，沉淀后的喷淋液中所含的颗粒更少，沉淀效果更好。 

此外，需要说明的是，本说明书中所描述的具体实施例，其各部分名称等可以不同，凡依本实用新型专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化，均包括于本实用新型专利的保护范围内。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。