[实用新型]一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜有效

专利信息
申请号: 201320262416.1 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN203276884U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 李晨光 申请(专利权)人: 南昌欧菲光科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G06F3/041
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 触摸屏 新型 柔性 ito 导电
【说明书】:

技术领域

 本实用新型涉及一种柔性透明导电薄膜,尤其涉及触摸屏行业内一种采用铜导线作为导电线路的触摸屏用新型ITO导电薄膜。

背景技术

    触摸屏主要的应用领域是手机、GPS、PMP、数码相机、IT领域、大尺寸以及其他领域。其中未来最具成长性的IT领域,主要的原因是全球依靠WINDOWS7/8的推动,带触控功能的笔记本电脑将大量出现。其次是手机领域,当触摸屏的成本足够低时,即便是不具备实用价值,消费者也一样选择触控屏,而不具备该功能的手机肯定会被淘汰,触摸屏在手机领域的发展正在如火如荼的发展中。

    目前触摸屏内感测区ITO薄膜与IC电路之间导电线路制作方式主要采用印刷银浆方式完成,工艺过程中ITO导电膜采用酸性溶液蚀刻成所需图形后,边缘采用丝网印刷方式印刷银浆,银线线宽一般在100μm左右。除采用印刷银奖之外,采用铜线作为导电线路工艺也已经很成熟,该工艺过程中,采用真空镀膜方式将铜镀制于ITO导电膜表面,采用相应蚀刻液将铜膜层蚀刻成导电线路,该工艺具有线宽优势,一般在25μm左右。

   目前,采用真空镀膜方式镀制铜膜层过程一般为:真空镀制完ITO导电薄膜后进入老化线结晶,结晶完采用真空镀膜方式将整个ITO表面镀制铜薄膜,保护层用于防止铜膜氧化,镀制方式与铜相同,铜膜层与保护膜层镀制完成后进行蚀刻,由于保护膜层内含有微量元素导致蚀刻时间较长,蚀刻时间长直接导致铜膜层与ITO导电膜附着力下降,容易造成脱膜现象产生不良,影响生产良率。

发明内容

 为了克服上述缺陷,本实用新型的目的在于减少由于蚀刻导致铜膜层脱落,提高生产量率与产能,从而提供一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜。

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜,该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路,该导电膜结构自下而上依次为基材、粘接层、透明导电层、金属层、保护层。

所述基材材料为聚酯薄膜基材。

所述粘接层材料为SiOx或SixNyOz。用于增加透明导电层与基材附着力。

所述透明导电层为ITO膜层,可见光透过率大于88%,方阻范围50Ω—300Ω。ITO透明导电层结晶后镀制金属层及保护层。

所述金属层为金属铜膜层。用于蚀刻形成导电线路。金属层镀制方式采用掩膜法镀制,按照所需图形覆掩膜镀制;

所述保护层为金属铜镍钛合金膜层。用于保护铜膜层,防止氧化。保护层层镀制方式采用掩膜法镀制,按照所需图形覆掩膜镀制;

本实用新型与现有技术相比有如下技术优点:

本实用新型与现有技术相比,金属铜层只镀制导电线路区,替代了金属铜层整面镀制于ITO膜层表面,根据不同规格尺寸决定掩膜大小,避免了由于蚀刻时间长导致金属层脱落,缩短了工作流程,提高了生产效率与良率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

1 -基材 2-粘接层 3-透明导电层 4-金属层 5-保护层。

图2 本实用新型掩膜示意图。

6-触摸屏ITO感测区域 7-触摸屏导电线路区。

具体实施方式

    为了详细叙述本实用新型专利的上述特点,优势和工作原理,下面结合说明书附图1、2和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明,但本实用新型所保护的范围并不局限于此。

一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜,该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路,该导电膜结构自下而上依次为基材1、粘接层2、透明导电层3、金属层4、保护层5。

所述基材1材料为聚酯薄膜基材。

所述粘接层2材料为SiOx或SixNyOz。

所述透明导电层3为ITO膜层,可见光透过率大于88%,方阻范围50Ω—300Ω。

所述金属层4为金属铜膜层。

所述保护层5为金属铜镍钛合金膜层。

本实用新型镀制方式采用真空卷绕镀膜方式,优先选择磁控溅射卷绕镀膜方式,所述基材为光学级PET,折射系数范围为1.4---1.7,透射率大于95%,基材表面可做相应处理如带加硬层,对基材进行等离子体预处理清洁后镀制粘接层,粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物, 透明导电层为ITO膜层。

镀制完粘接层与ITO膜层后进入老化线结晶,条件为150℃/30min,结晶后将掩膜覆于ITO膜层表面,进行金属层镀制。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌欧菲光科技有限公司,未经南昌欧菲光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320262416.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top