[实用新型]一种基于双光子晶体层的LED芯片有效
| 申请号： | 201320260259.0 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203312352U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 罗锦贵 | 申请（专利权）人： | 四川海金汇光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/40;H01L33/10 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 629300*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 led 芯片 | ||
1.一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片从下到上依次包括铜散热层（1）、绝缘层（2）、P型电极层（3）、反射层（4）、P型GaN层（5）、N型GaN层（6）、GaN缓冲层（7）、透明电极层（8）和N型引线电极（9），所述铜散热层（1）的面积大于P型电极层（3）的面积。
2.根据权利要求1所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层（2）为硅胶层，硅胶层的厚度为480-520nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述P型电极层（3）为镍金合金层，镍金合金层的厚度为240-260nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述反射层（4）为银镍合金反射层，银镍合金反射层的厚度为190-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述透明电极层（8）为透明导电氧化物薄膜TCO层。
6.根据权利要求5所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述TCO层包括铟锡氧化物薄膜ITO层。
7.根据权利要求5或6所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述透明电极层（8）上设有P型电极沟槽（10）。
8.根据权利要求1所述的一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述GaN缓冲层（7）为衬底图形化的GaN缓冲层。
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