[实用新型]研磨调整装置及化学机械研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种研磨调整装置及化学机械研磨装置。

背景技术

IC制造工艺中的平坦化技术已成为与光刻和刻蚀同等重要且相互依赖的不可缺少的关键技术之一。化学机械研磨（ChemicalMechanicalPoilshing，CMP）工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。化学机械研磨系统是集清洗、干燥、在线检测、终点检测等技术于一体的化学机械平坦化技术。

图1所示为当前主流CMP装置的俯视图，CMP装置100包括研磨头（Polishinghead）101、置于研磨平台上面的研磨垫（Pad）102、浆料传送装置（Slurrydelivery）103以及研磨垫调整装置（PadConditioner）104。其中，研磨头101上装有待化学机械研磨的晶片，在一定下压力的作用下，晶片表面薄膜与研磨垫102以及浆料相互作用实现化学机械抛光，研磨头101相对研磨垫102在其径向方向上做直线运动以及自身的圆周运动；浆料传送装置103用于提供研磨时所需要的浆料，其中浆料是CMP过程中一种关键的材料，研磨不同的薄膜选择不同的浆料，它对CMP的速度、抛光质量有很大的影响；研磨垫102通常由多孔、有弹性的聚合物制成，具有一定硬度、耐用性、可再生性、多孔性和填充性，能够在吸收研磨浆料并在夹具的压力下输送到晶片表面。在研磨垫102和研磨头101相互作用的使用过程中，研磨垫102的表面会吸收一些残留的浆料和研磨颗粒而变得平滑，平滑后的研磨垫102会导致对晶片的研磨速率下降。为了保持研磨垫102的粗糙度，利用研磨垫调整装置104重新调整研磨垫102的表面、去除研磨过程中残留的浆料和研磨颗粒，并将浆料传送装置103提供的新浆料重新分布均匀。

所述研磨调整装置为金刚石圆盘，图2为所述金刚石圆盘的俯视图，通过金刚石圆盘与研磨垫之间的研磨作用，将填充在研磨垫表面内的残留的浆料和研磨颗粒打磨去除掉，使研磨垫的表面恢复一定的粗糙度，从而保持对晶片具有一定的研磨速度。但是，上述包括金刚石圆盘的研磨调整装置在去除研磨垫中间留下残留浆料和研磨颗粒效果并不理想，没有去除的残留浆料和研磨颗粒会在晶片薄膜表面形成刮伤和划痕等缺陷。因此，有必要开发一种研磨调整装置提高对研磨垫的研磨调整效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨调整装置及化学机械研磨装置，以解决现有技术中的研磨调整效果不佳而导致刮伤和划痕等缺陷发生的问题，从而达到提高良率的目的。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种研磨调整装置，包括一研磨调整臂，另外，还包括分别位于所述研磨调整臂两端的两个金刚石圆盘。

可选的，所述研磨调整装置还包括一研磨调整马达，与所述两个金刚石圆盘连接，所述研磨调整马达带动所述两个金刚石圆盘旋转。

可选的，所述研磨调整装置还包括一压力调整器，与所述两个金刚石圆盘相连接。

可选的，所述研磨调整装置还包括一上下控制器，与所述研磨调整臂相连接。

相应的，本实用新型还提供一种化学机械研磨装置，包括：

一研磨垫；以及

所述研磨调整装置，所述研磨调整装置位于所述研磨垫的上方。

可选的，所述化学机械研磨装置还包括一研磨头，所述研磨头固定于所述研磨调整臂上，并位于所述两个金刚石圆盘之间。

可选的，所述化学机械研磨装置还包括一研磨头马达，与所述研磨头相连接，并带动所述研磨头旋转。

可选的，在所述化学机械研磨装置中，所述上下控制器将所述研磨调整臂下压，并带动所述两个金刚石圆盘下压至与所述研磨垫的表面接触。

可选的，在所述化学机械研磨装置还包括另一压力调整器，与所述研磨头连接。

可选的，所述化学机械研磨装置还包括位于所述研磨垫上方的浆料传送装置。

本实用新型所提供的化学机械研磨装置，包括一研磨垫和一研磨调整装置，所述研磨调整装置位于所述研磨垫的上方，所述研磨调整装置包括研磨调整臂，和分别位于所述研磨调整臂两端的两个金刚石圆盘。相对于现有技术中的一个金刚石圆盘的设置，本实用新型增加了一个金刚石圆盘，可以有效提高研磨调整效果，可以将研磨头与研磨垫在研磨过程中所产生的残留浆料以及研磨颗粒及时清除出去，避免了残留浆料以及研磨颗粒的大量堆积，从而降低了对晶片的刮伤和划痕等缺陷的发生。

附图说明

图1为现有技术中的化学机械研磨装置的俯视图；

图2为现有技术中的金刚石圆盘的俯视图；

图3为本实用新型实施例一的研磨调整装置的结构示意图；