[实用新型]一种硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201320259045.1 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN203232880U | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 王强;张昱;虞铮栋;姚滢;邓洁 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅基埋栅三 电极 薄膜 太阳能电池 | ||
1. 一种硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、一薄膜中电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜,其中所述薄膜中电极被N型硅薄膜所包裹,顶电极覆盖于所述P型薄膜上,所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围,在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结,所述底电极与N型硅薄膜连接。
2. 根据权利要求1所述的硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池结构的进一步设计在于,顶电极与底电极连接;电池薄膜中电极与顶电极和底电极共同构成电池的两极。
3. 根据权利要求1所述的硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,其特征在于:所述P型硅薄膜和N型硅薄膜的为非晶硅或多晶硅薄膜。
4. 根据权利要求1所述的硅基埋栅三电极薄膜太阳能电池,其特征在于:所述顶电极为掺氟氧化锌或氧化铟硒透明材料制成的电极,所述薄膜中电极和底电极为铝或银材料制成的电极,或掺氟氧化锌或氧化铟硒透明材料制成的电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的