[实用新型]半导体制造LPCVD工艺中用于放置硅片的装置有效
申请号: | 201320257020.8 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN203288568U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 黄赛琴;林勇 | 申请(专利权)人: | 福建省安特半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人: | 宋连梅 |
地址: | 351100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 lpcvd 工艺 用于 放置 硅片 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片技术领域,特别涉及一种半导体制造LPCVD工艺中用于放置硅片的装置。
背景技术
目前,在FAB的集成电路制造工艺中,石英舟被运用于LPCVD躺式炉工艺,用来沉积二氧化硅和磷硅酸玻璃。FAB一般特指集成电路相关领域的制造。LPCVD是低压化学气相沉积系统。传统的硅片是背对背被放置在特定的石英“舟”上,石英“舟”四周开出均匀的栅条用来通入反应气体,左右和上下均有齿状条用来固定硅片,防止硅片背面沉积。
该石英舟存在以下缺点:
1、石英舟是专业半导体石英工厂定做,因模具复杂、造价成本高。
2、石英舟的石英容易破损,且加工周期长,不利于安全库存。
3、清洗容易磨损,且重复实用一致性差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题,在于提供一种半导体制造LPCVD工艺中用于放置硅片的装置,结构简单能就地加工,实用重复性较好,清洗容易,能循环使用。
本实用新型是这样实现的:一种半导体制造LPCVD工艺中用于放置硅片的装置,所述装置为圆筒式容器,该容器包括下托盘盖和上盖;所述下托盘盖内侧开设有复数个并排分布的用于放置硅片的开口;该下托盘盖外侧横向设置有复数个限位挡条;所述下托盘盖的侧壁与上盖的侧壁铰接连接。
进一步地,所述两两开口之间的距离为10~20mm。
进一步地,所述两两限位挡条之间的距离为30~50mm。
进一步地,所述上盖内侧横向设置有一用于固定硅片的锯齿条,所述锯齿条上的各锯齿口的位置与各开口一一对应。
本实用新型的优点在于:本实用新型装置为圆筒式容器,该容器包括下托盘盖和上盖;所述下托盘盖内侧开设有复数个并排分布的用于放置硅片的开口;该下托盘盖外侧横向设置有复数个限位挡条;所述下托盘盖的侧壁与上盖的侧壁铰接连接。其容器是不锈钢材质制作而成,且结构简单能就地加工,造价成本减少到传统的1/4,且不容易破损,实用重复性较好,清洗容易,能循环使用,运输方便。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的上盖内侧的结构示意图。
图3是本实用新型下托盘盖的结构示意图。
图4是本实用新型的锯齿条的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1至图4所示,本实用新型为一种半导体制造LPCVD工艺中用于放置硅片的装置,所述装置为圆筒式容器1,该容器1包括下托盘盖11和上盖12;所述下托盘盖11内侧开设有复数个并排分布的用于放置硅片的开口111;该下托盘盖11外侧横向设置有复数个限位挡条112;所述下托盘盖11的侧壁与上盖12的侧壁铰接连接。当硅片放置在下托盘盖11的开口111时,由于限位挡条112的限位作用,硅片不会从下托盘盖11的开口滑落。本实用新型中圆筒式容器1的材质为不锈钢。
其中,所述两两开口111之间的距离d1为10~20mm。所述两两限位挡条112之间的距离d2为30~50mm。两两开口的距离是为了固定硅片,防止硅片在气流的冲击下变形,硅片与硅片之间需保持一定的距离。
在本实用新型中,所述上盖12内侧横向设置有一用于固定硅片的锯齿条121,所述锯齿条121上的各锯齿口122的位置与各开口111一一对应。在硅片放置好后,盖上该上盖12,该锯齿条121能保证硅片处在一个相对稳定的气流条件下,锯齿条121上的锯齿口122的间距刚好能让硅片稳定地卡住。这样即使是在气流的冲击下,硅片也能自我调整。
总之,本实用新型结构简单能就地加工,造价成本减少到传统的1/4,且不容易破损,实用重复性较好,清洗容易,能循环使用,运输方便。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式,但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解,我们所描述的具体的实施例只是说明性的,而不是用于对本实用新型的范围的限定,熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化,都应该涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造