[实用新型]一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件有效
| 申请号： | 201320253995.3 | 申请日： | 2013-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN203310788U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡明;马双云;曾鹏;李明达;闫文君 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 硅基一维 氧化钨 纳米 线气敏 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，包括硅基片衬底，其特征在于，所述硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线（2）的上面设置有正铂电极（4）和负铂电极（5）。
2.根据权利要求1的一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，所述硅基片衬底（1）是电阻率为10～15Ω·cm的p型单晶硅基片。
3.根据权利要求1的一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，所述硅基片衬底（1）的尺寸为2.4cm×0.9cm。
4.根据权利要求1的一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，该多孔硅的平均孔径为1～2μm，厚度为8～15μm。
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