[实用新型]MEMS麦克风

说明书

技术领域

本实用新型涉及MEMS麦克风技术领域，更为具体地，涉及一种能够减少MEMS麦克风线性失真，降低总谐波失真值的MEMS麦克风。

背景技术

随着社会的进步和技术的发展，近年来，手机、笔记本电脑等电子产品体积不断减小，人们对这些便携电子产品的性能要求也越来越高，从而也要求与之配套的电子零件的体积不断减小、性能和一致性不断提高。MEMS（Micro-Electro-Mechanical-System，简称MEMS）工艺集成的MEMS麦克风开始被批量应用到手机、笔记本电脑等电子产品中，其封装体积比传统的驻极体麦克风小，因此受到大部分麦克风生产商的青睐。

目前，麦克风结构多为单振膜跟单背极板组合的设计，图1为现有MEMS麦克风振膜在下，背极板在上的结构示意图；如图1所示，背极板1在振膜2上方，在背极板1和振膜2之间设置有支撑层3。图2为现有MEMS麦克风振膜在上，背极板在下的结构示意图；如图2所示，振膜2在背极板1的上方，在振膜2和背极板1之间设置有支撑层3。现有的麦克风结构中，单振膜和单背极板之间设置有支撑层，麦克风的线性度特性低，并且MEMS麦克风的THD Value（Total Harmonic Distortion，又称为总谐波失真值）较大。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种MEMS麦克风，以解决麦克风线性度低和谐波失真值低的问题。

本实用新型提供的MEMS麦克风，包括基底、背极板、振膜、绝缘层、支撑层和电极；背极板包括第一背极板和第二背极板；绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；支撑层包括第一支撑层和第二支撑层；其中，第一绝缘层设置在基底和第一背极板之间，第二绝缘层设置在第一背极板的上方；第一支撑层设置在第二绝缘层和振膜之间，第二支撑层设置在振膜和第三绝缘层之间；第二背极板设置在第三绝缘层上方；用于MEMS麦克风内部电路与外部电路连通的电极分别在第一背极板和第二背极板上。

此外，优选的结构是，在第一背极板和所述第二背极板上设置有多个通孔；第一背极板第二背极板上的通孔分别与第一绝缘层和第二绝缘层上的通孔一一对应。

此外，优选的结构是，设置在第一支撑层和第二支撑层之间的振膜与第二绝缘层和第三绝缘层之间分别形成振膜震动的空气间隙。

从上面的技术方案可知，本实用新型的MEMS麦克风，采用双背极板的结构，并且振膜设置在上下背极板之间，这种设计结构通过振膜与上下背极板距离之间的相互补偿，能够减少MEMS麦克风的线性失真，并且降低MEMS麦克风总谐波失真值；由于绝缘层的增加，能够避免振膜与背极板发生短路，影响声电转换的实现。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为现有MEMS麦克风振膜在下，背极板在上的结构示意图；

图2为现有MEMS麦克风振膜在上，背极板在下的结构示意图；

图3为根据本实用新型实施例的MEMS麦克风结构示意图。

其中的附图标记包括：背极板1、振膜2、支撑层3、基底4、第一绝缘层5、第一背极板6、第二绝缘层7、第一支撑层8、第二支撑层9、第三绝缘层10、第二背极板11、电极12、通孔13和空气间隙14。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

图3为根据本实用新型实施例的MEMS麦克风结构示意图，如图3所示，本实用新型提供的MEMS麦克风，从下往上依次为：基底4、第一绝缘层5、第一背极板6、第二绝缘层7、第一支撑层8、振膜2、第二支撑层9、第三绝缘层10、第二背极板11和电极12。

其中，背极板包括第一背极板6和第二背极板11；绝缘层包括第一绝缘层5、第二绝缘层7和第三绝缘层10；支撑层包括第一支撑层8和第二支撑层9。

第一绝缘层5设置在基底4和第一背极板6之间，第二绝缘层7设置在第一背极板6的上方。

第一支撑层8设置在第二绝缘层7和振膜2之间，第二支撑层9设置在振膜2和第三绝缘层10之间。

第三绝缘层10设置在第二背极板11下方；电极12设置在第一背极板6和第二背极板11上，用于第一背极板6和第二背极板11与外部电路相连接。

在第一背极板6和第二背极板11上设置有多个通孔13，并且与第二绝缘层7和第三绝缘层10上的通孔（在图3中未标出）一一对应。