[实用新型]芯片倒装式发光二极管有效
| 申请号： | 201320236051.5 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN203325971U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄世耀;陈嘉延;甘明吉;宋健民 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 倒装 发光二极管 | ||
1.一种芯片倒装式发光二极管，其特征在于包括：
一电路载板，其包括有一基板、一绝缘层及一导电层，其中，该绝缘层设置于该基板上，该导电层设置于该绝缘层上，且该导电层具有一线路层及一蚀刻层；
一焊接层，设置于该线路层上；以及
一芯片倒装式发光二极管芯片，设置于该焊接层上，并电性连接至该电路载板。
2.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该导电层包括一芯片覆盖区；以及一线路裸露区。
3.如权利要求书2所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，在该芯片覆盖区中，该线路层面积占该导电层面积的20％至50％。
4.如权利要求书2所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，在该线路裸露区中，该线路层面积占该导电层面积的50％至80％。
5.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该蚀刻层为多个蚀刻凹槽。
6.如权利要求书5所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该这些蚀刻凹槽的形状为长条形、椭圆形、正方形、圆形、梯形、或其组合。
7.如权利要求书5所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该这些蚀刻凹槽为一不连续蚀刻凹槽，或该些蚀刻凹槽为一连续蚀刻凹槽。
8.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该焊接层的厚度为1微米至50微米。
9.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该线路层具有一粗糙化的表面。
10.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该线路层具有一正电电性及一负电电性。
11.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该芯片倒装式发光二极管芯片包括：一芯片基板；一半导体外延层，其设置于该芯片基板底部，且该半导体外延层含有一P型半导体外延层、一活性中间层及一N型半导体外延层。
12.如权利要求书11所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该P型半导体外延层通过该焊接层以电性连接至具有正电电性的该线路层。
13.如权利要求书11所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该N型半导体外延层是通过该焊接层以电性连接至具有负电电性的该线路层。
14.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该绝缘层为一树脂材料、一陶瓷材料、一碳质材料、或一导热胶。
15.如权利要求书14所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该绝缘层为树脂材料。
16.如权利要求书1所述的芯片倒装式发光二极管，其特征在于，该基板为一金属基板、一陶瓷基板、或一硅基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铼钻科技股份有限公司，未经铼钻科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320236051.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于汽油发电机组的外置式电池架
- 下一篇：一种PIN光电探测器芯片
