[实用新型]一种卷带式覆晶薄膜切割装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及覆晶薄膜切割领域，尤其涉及一种卷带式覆晶薄膜切割装置。

背景技术

目前使用的卷带式覆晶薄膜COF（Chip On Flex）冲切装置，精度一般为±50～100um左右，而当COF冲切装置需要实现冲切精度为±50um以内时，传统的COF冲切设备不能完全满足要求，且精度不稳定。

在现有的薄膜晶体管TFT模组工程中，采用模具冲切的方式，如图1所示。为了实现高精度冲切，一般会采用电荷耦合元件CCD对位冲切，被对位的对象一般为刚性材料，例如玻璃等，而被对位的对象为柔性材料时，例如COF等，要实现CCD对位，存在着COF冲切时不能平整展开的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种卷带式覆晶薄膜切割装置，对平整展开的覆晶薄膜进行电荷耦合元件的对位切割。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种卷带式覆晶薄膜切割装置，所述装置包括：

用于提供覆晶薄膜料带的料盘；

用于平整展开所述覆晶薄膜料带，并控制所述覆晶薄膜料带依次前进到对位单元和切割单元的控制单元；

用于确定所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的冲切位置的所述对位单元；

用于根据所述冲切位置，用激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的所述切割单元。

其中，优选地，所述控制单元具体包括：

处于同一水平位置的第一棘轮和第二棘轮；

用于将所述料盘提供的所述覆晶薄膜料带送至所述第一棘轮或第二棘轮的导向滚轮；

所述对位单元与所述切割单元处于所述第一棘轮和第二棘轮之间。

其中，优选地，所述对位单元具体包括：

用于根据平整展开的所述覆晶薄膜料带上的电荷耦合元件的对位标识，确定所述冲切位置的对位子单元。

其中，优选地，所述对位子单元具体包括：

用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上一侧电荷耦合元件的第一对位标识的第一获取子单元；

用于获取平整展开的所述覆晶薄膜料带上另一侧电荷耦合元件的第二对位标识的第二获取子单元；

用于根据所述第一对位标识和第二对位标识，确定所述冲切位置的位置确定子单元。

其中，优选地，所述切割单元具体包括：

电源；

用于在通电时产生激光的泵浦灯；

设置在远离所述覆晶薄膜料带的一侧，反射所述泵浦灯产生的激光的全反镜；

设置在靠近所述覆晶薄膜料带的一侧，对所述全反镜反射的激光进行透射的半反镜；

用于根据所述冲切位置，用所述半反镜透射的激光切割平整展开的所述覆晶薄膜料带的切割子单元。

其中，优选地，所述切割单元具体还包括：

用于增加所述激光的功率的增益介质，所述增益介质位于所述全反镜和所述半反镜之间。

其中，优选地，所述装置还包括：

用于回收完成切割后的所述覆晶薄膜料带的回收桶。

本实用新型首先将覆晶薄膜平整展开，再确定平整展开的覆晶薄膜上的电荷耦合元件的冲切位置，最后利用激光，根据所述冲切位置，对覆晶薄膜进行切割，能够有效的进行边缘平滑切割，同时减少切割产生的毛刺，提高了激光切割的精度。

附图说明

图1为现有技术中模具冲切装置的示意图；

图2为本实用新型提供的一种卷带式覆晶薄膜切割装置的结构示意图；

图3为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的控制单元的结构示意图；

图4为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的对位单元的结构示意图；

图5为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置中的切割单元的结构示意图；

图6为本实用新型提供的另一种卷带式覆晶薄膜切割装置的结构示意图；

图7为本实用新型提供的卷带式覆晶薄膜切割装置处理流程示意图；

主要组件符号说明：

1：覆晶薄膜料盘、2：控制单元、3：对位单元、4：切割单元、5：回收桶、6：覆晶薄膜料带、7：覆晶薄膜、8：模具；

其中，2-1：导向滚轮、2-2：第一棘轮、2-3：第二棘轮；

3-1：第一获取子单元、3-2：第二获取子单元、3-3：第一对位标识、3-4：第二对位标识；

4-1：泵浦灯、4-2全反镜、4-3：半反镜、4-4：增益介质、4-5：切割子单元。

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。