[实用新型]形成嵌入式SOP扇出型封装的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

球栅阵列封装，包括多个第一凸块；

第一半导体管芯，布置在所述球栅阵列封装之上所述第一凸块之间；

第一密封剂，沉积在所述球栅阵列封装和第一半导体管芯之上；以及

扇出型互连结构，在所述第一凸块和第一半导体管芯之上形成并电连接至所述第一凸块和第一半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述球栅阵列封装还包括：

衬底；

第二半导体管芯，布置在所述衬底之上并电连接至所述衬底，其中，所述第一凸块在所述衬底之上与所述第二半导体管芯相对地形成；以及

第二密封剂，沉积在所述第二半导体管芯和衬底之上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体管芯包括比所述第一凸块的高度小的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：翘曲平衡层，在所述球栅阵列封装之上形成。

5.一种半导体器件，其特征在于包括：

半导体封装，包括多个第一互连结构；

第一半导体管芯，布置在所述半导体封装之上所述第一互连结构之间；

第一密封剂，沉积在所述半导体封装和第一半导体管芯之上；以及

第二互连结构，在所述第一互连结构和第一半导体管芯之上形成并电连接至所述第一互连结构和第一半导体管芯。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体封装还包括：

衬底；

第二半导体管芯，安装至所述衬底；以及

第二密封剂，与所述第一互连结构相对地布置在所述第二半导体管芯和衬底之上。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：翘曲平衡层，在所述半导体封装之上形成。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体封装的表面从所述第一密封剂暴露。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二互连结构包括：

第一绝缘层；

第一导电层，在所述第一绝缘层之上形成并电连接至所述第一互连结构和所述第一半导体管芯；

第二绝缘层，在所述第一导电层之上形成；以及

多个凸块，在所述第二绝缘层之上形成并电连接至所述第一导电层。

10.一种半导体器件，其特征在于包括：

半导体封装，包括多个第一互连结构；

第一半导体管芯，布置在所述半导体封装之上所述第一互连结构之间；以及

第二互连结构，在所述第一互连结构和第一半导体管芯之上形成并电连接至所述第一互连结构和第一半导体管芯。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体封装还包括：

衬底；

第二半导体管芯，布置在所述衬底之上并电连接至所述衬底，其中，所述第一互连结构在所述衬底之上与所述第二半导体管芯相对地形成；以及

密封剂，沉积在所述第二半导体管芯和衬底之上。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一半导体管芯包括比所述第一互连结构的高度小的高度。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：翘曲平衡层，在所述半导体封装之上形成。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：屏蔽层或散热片，在所述半导体封装之上形成。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：密封剂，沉积在所述半导体封装和第一半导体管芯之上，所述密封剂中具有处于所述半导体器件的外表面处的开口，以提供应力消除。