[实用新型]打线工艺的加热座及加热装置有效
申请号: | 201320230075.X | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN203300621U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 汪虞 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 215012 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 加热 装置 | ||
1.一种打线工艺的加热座,其特征在于:所述加热座包含:
一底座,其表面形成有一凹陷部;
一中间导热板,设置于所述凹陷部内并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔连通所述至少一真空吸槽;以及
一顶板,设置于所述凹陷部内并对应贴附于所述中间导热板上,且所述中间导热板的边缘与所述凹陷部的边缘及所述顶板的边缘密封连接,并所述顶板具有多个微吸附孔对应连通所述中间导热板的真空吸槽;
其中所述中间导热板的导热性分别高于所述顶板及底座的导热性。
2.如权利要求1所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述中间导热板的边缘与所述凹陷部的边缘及所述顶板的边缘通过一激光焊接道连接在一起。
3.如权利要求1所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述底座具有至少一真空吸孔,其中所述底座的真空吸孔贯穿形成于所述底座的凹陷部的表面及所述底座的下表面之间,并通过所述中间导热板的通孔连通所述中间导热板的真空吸槽。
4.如权利要求1所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述底座材质为铁、铝、镍或其合金;所述中间导热板为一铜板;所述顶板材质为铁、铝、镍或其合金。
5.如权利要求1所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述中间导热板的真空吸槽包含至少一长条的纵向吸槽与至少一长条的横向吸槽;所述横向吸槽垂直连通所述纵向吸槽,其中所述横向吸槽或纵向吸槽对应连通所述底座的真空吸孔。
6.如权利要求5所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述中间导热板的真空吸槽为螺旋状或同心圆状。
7.如权利要求6所述的打线工艺的加热座,其特征在于:所述顶板部分凸出于所述底座的上表面;所述顶板的微吸附孔的孔径介于0.15毫米~0.25毫米之间。
8.一种打线工艺的加热装置,其特征在于:所述加热装置包含:
一加热座,包含一底座、一中间导热板及一顶板;所述底座表面形成有一凹陷部;所述中间导热板设置于所述凹陷部内并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔连通所述至少一真空吸槽;所述顶板设置于所述凹陷部内并对应贴附于所述中间导热板上,且所述中间导热板的边缘与所述凹陷部的边缘及所述顶板的边缘密封连接,并所述顶板具有多个微吸附孔对应连通所述中间导热板的真空吸槽,其中所述中间导热板的导热性分别高于所述顶板及底座的导热性;以及
一压板,配置于所述加热座的上方,以从上方对应压紧一封装载体,使所述封装载体被夹持于所述加热座与所述压板之间。
9.如权利要求8所述的打线工艺的加热装置,其特征在于:所述压板具有一中空的打线窗口,所述压板的打线窗口曝露所述封装载体欲进行打线作业的部位。
10.如权利要求8所述的打线工艺的加热装置,其特征在于:所述底座下表面设有至少一加热组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造