[实用新型]电力高压电缆接头非接触红外测温装置

权利要求书

1.一种电力高压电缆接头非接触红外测温装置，其特征是，包括嵌入式处理单元、载波通信模块、数据存储单元、超级电容供电单元、SDI通信模块，所述嵌入式处理单元分别与载波通信模块、数据存储单元、超级电容供电单元、SDI通信模块相连，所述超级电容供电单元给嵌入式处理单元、载波通信模块、数据存储单元、SDI通信模块供电，SDI通信模块与非接触红外测温探头相连，实现温度数据的采集。 

2.如权利要求1所述的电力高压电缆接头非接触红外测温装置，其特征是，所述嵌入式处理单元包括微处理控制器U1、提供微处理控制器U1工作所需时钟信号的外围晶振单元电路、以及实现微处理控制器U1的上电复位、并进入正常工作流程的复位单元电路；所述外围晶振单元电路包括晶振4OSC1、电容4C3、电容4C4；所述复位单元电路包括集成电路4U2、电容4C5、电阻4R4；嵌入式处理单元通过微处理控制器U1的IO口与数据存储单元相连，进行数据的存储；嵌入式处理单元通过微处理控制器U1的IO口与载波通信模块的信号接收单元电路相连，通过微处理控制器U1与载波通信模块的信号发送单元电路相连；嵌入式处理单元通过微处理控制器U1的IO口与SDI通信模块相连。 

3.如权利要求1所述的电力高压电缆接头非接触红外测温装置，其特征是，所述载波通信模块包括载波数据接收单元、载波数据发送单元电路：所述载波数据接收单元包括控制电路、比较器电路、跟随器电路；其中控制电路包括三极管1Q6、电阻1R15、电阻1R16、电阻1R13、电阻1R14、MOS管1Q5，电阻1R16两端分别与基极、发射极连接，MOS管1Q5的源极与栅极之间并联有1R13，并联后通过1R14与三极管1Q6的集电极连接；所述比较器电路包括电阻1R17、电阻1R18、稳压二极管1ZD2、电阻1R19、电阻1R20、电容1C7、电压比较器1U3A，其中电压比较器1U3A的正输入端分别与电阻1R17、电阻1R18一端连接，1R17另一端与MOS管1Q5的漏极连接，电阻1R18另一端接地，电压比较器1U3A的负输入端分别与电阻1R19、电阻1R20的一端连接，电阻1R19另一端接PBI,电阻1R20的另一端通过电容1C7接地；所述跟随器电路包括电阻1R21、电容1C8、电容1C9、电容1C10、电阻1R22、电阻1R23、电压跟随器1U3B；电压跟随器1U3B的正输入端通过电阻1R21与电压比较器1U3A的输出端连接，电压跟随器1U3B的负输入端通过外部电阻1R22与输出端连接，同时电压跟随器1U3B的输出端通过电容1C10接地；所述载波数据接收单元与微处理控制器U1相连，嵌入式处理单元将载波数据接收单元的数据进行接收处理；载波数据接收单元通过微处理控制器U1与控制电路相连，实现数据接收； 

所述载波数据发送单元包括电阻1R26、电阻1R27、三极管1Q8、二极管1D7、自恢复保 险丝1PTH2、二极管1D6；三极管1Q8的基极通过电阻1R26接地，集电极与发射极之间外部并联二极管1D7、二极管1D6，自恢复保险丝1PTH2与二极管1D6串联，电阻1R27的一端与微处理控制器U1相连，嵌入式处理单元将需要发送的数据发送给载波数据发送单元，然后将信号发出。 

4.如权利要求1所述的电力高压电缆接头非接触红外测温装置，其特征是，所述数据存储单元包括存储器芯片4U4、及与其连接的外围电路电解电容4E3、电容4C11、电容4C12、电阻4R11、电阻4R14、电阻4R15、电阻4R16；其中电阻4R14的一端与微处理控制器U1相连，电阻4R14的另一端与存储器芯片4U4的7脚相连；电阻4R15的一端与微处理控制器U1相连，电阻4R15的另一端和存储器芯片4U4相连；数据存储单元的电阻4R16的一端与微处理控制器U1相连，电阻4R16的另一端与存储器芯片4U4相连、实现所需数据的传输。