[实用新型]一种C波段高频头

权利要求书

1.一种C波段高频头，其特征在于，包括馈源、导波管、电路板盒、电路板及接头，所述导波管连接在所述馈源和所述电路板盒之间，所述电路板设置在所述电路板盒内，所述接头设在电路板盒上，所述电路板上设有RDA3570控制芯片和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块、稳压模块及晶振锁相模块； 

其中，所述晶振锁相模块包括晶振、第十电容（C10）和第十一电容（C11），所述晶振连接在所述控制芯片的xtal1脚和xtal2脚之间，所述第十电容（C10）的一端连接在所述晶振的一端，所述第十一电容（C11）的一端连接在所述晶振的另一端，所述第十电容（C10）和所述第十一电容（C11）的另一端均接地； 

所述高频放大模块接收的卫星信号经所述控制芯片处理后通过所述中频输出模块输出，其中，所述控制芯片将所述卫星信号转换为输出信号，并在该输出信号输出之前比较其与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整，直至所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后，再将所述输出信号传输至所述中频输出模块并由所述中频输出模块输出。 

2.根据权利要求1所述的C波段高频头，其特征在于，所述高频放大模块包括第一场效应晶体管（Q1）、第二场效应晶体管（Q2）和第三场效应晶体管（Q3），所述第一场效应晶体管（Q1）的栅极G1通过所述导波管接一路射频 信号，所述第一场效应晶体管（Q1）的源极S1串第六电容（C6）后接第三场效应晶体管（Q3）的栅极G3，所述第一场效应晶体管（Q1）的漏极D1接地；所述第二场效应晶体管（Q2）的栅极G2通过所述导波管接另一路射频信号，所述第二场效应晶体管（Q2）的源极S2串第五电容（C5）后接第三场效应晶体管（Q3）的栅极G3，所述第二场效应晶体管（Q2）的漏极D2接地；所述第三场效应晶体管（Q3）的源极S3和所述控制芯片RFIN脚连接，其漏极D3接地。 

3.根据权利要求1所述的C波段高频头，其特征在于，所述中频输出模块包括第十二电容（R12），所述第十二电容（R12）的一端接所述控制芯片的IFout脚，其另一端和所述接头连接。 

4.根据权利要求1所述的C波段高频头，其特征在于，所述电路板上还设有滤波模块，所述滤波模块一端与所述高频放大模块连接，其另一端通过第九电容（C9）和所述控制芯片的RFIN脚连接。 

5.根据权利要求1所述的C波段高频头，其特征在于，所述稳压模块包括三端稳压管、第十三电容（C13）和第十四电容（C14），所述三端稳压管第一端（a）串所述第十三电容（C13）后接地，其第二端（b）串所述第十四电容（C14）后接地，其第三端（c）接地。