[实用新型]直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯有效
申请号: | 201320227436.5 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN203181366U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 阮树成 | 申请(专利权)人: | 阮树成 |
主分类号: | H05B41/292 | 分类号: | H05B41/292 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321100 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直流 低压 电源 四推挽注锁 功率 合成 高压 钠灯 | ||
1.一种直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯,包括直流低压电源、高压钠灯管,其特征在于:还包括基准晶振、分频器、自振荡芯片A、自振荡芯片B、自振荡芯片C、自振荡芯片D、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB1、相加耦合器TB2、相加耦合器TB3、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成,由一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并接接地电容,同时,跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,由另一个反相器接入基准晶振信号,经分频器并接四个反相器,自振荡芯片内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD,输出分别经推挽逆变驱动电路连接均由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′,自振荡芯片A推挽逆变器A′输出功率变压器T1与自振荡芯片B推挽逆变器B′输出功率变压器T2馈入相加耦合器TB1,自振荡芯片C推挽逆变器C′输出功率变压器T3与自振荡芯片D推挽逆变器D′输出功率变压器T4馈入相加耦合器TB2,相加耦合器TB1与相加耦合器TB2馈入相加耦合器TB3功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉,基准晶振信号经分频器并接的四个反相器输出分别注入四个自振荡芯片CT端锁定相位,调频信号发生器锯齿波信号接入四个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器信号接入四个自振荡芯片SD端,快速停振关闭推挽逆变器功率MOS场效应管,直流低压电源低压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端,直流低压电源高压接入四个自振荡芯片、四个推挽逆变器的电源端。
2.根据权利要求1所述的直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯,其特征在于:调频信号发生器由时基芯片IC4、电阻R16、R17、R19和电容C12多谐振荡,IC4的DIS端由电阻R18接场管Q4栅极,电容C15接Q4源极电阻R20自举正反馈,输出线性锯齿波信号接入自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁。
3.根据权利要求1所述的直流低压电源四推挽注锁功率合成高压钠灯,其特征在于:灯管触发电路由灯管一端经脉冲点火变压器T5电感T5L2、电容C8接到相加耦合器TB3电感TB3L2,电容C9接电感T5L1与电阻R13接点,并接地,双向触发二极管VD1串接电感T5L1接地,直流高压发生器由时基芯片IC4多谐振荡方波输出接变压器T6电感T6L1,由电感T6L2升压、二极管VD2整流、电容C16、电阻R21滤波,由电阻R22接电容C8与T5L2的接点,灯管另一端穿过灯异常检测电流互感磁环接地,电感LS1接二极管VD3检波、电容C14电阻R10滤波,由电阻R8、R9分压、经场管Q3接自振荡芯片SD端,快速停振关断推挽逆变器功率MOS场效应管。
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