[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），包括集电极（C）、栅电极（32）、发射极（29）以及半导体本体（31），其特征在于，所述半导体本体（31）包括： 

体区（24），具有第一导电类型； 

源区（25），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且与所述体区（24）形成第一pn结； 

漂移区（23），具有所述第二导电类型，并位于所述体区（24）的与所述发射极侧相反的一侧并且与所述体区（24）形成第二pn结； 

至少一个第一沟槽（26a，26c），形成在所述半导体本体（31）的表面上，延伸至所述漂移区（23）并且与所述栅电极（32）接触，并且其中，所述至少一个第一沟槽（26a，26c）具有第一沟槽部分（261a，261c）和第二沟槽部分（262a，262c），所述第一沟槽部分（261a，261c）具有第一宽度，所述第二沟槽部分（262a，262c）具有与所述第一宽度不同的第二宽度；以及 

至少一个第二沟槽（26b，26d），形成在所述半导体本体（31）的表面上，延伸至所述漂移区（23）并且与所述发射极（29）接触。 

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述至少一个第二沟槽（26b，26d）包括： 

第一部分（261b，261d），具有所述第一宽度；以及 

第二部分（262b，262d），具有所述第二宽度。 

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，在所述绝缘栅双极型晶体管（30）的垂直方向上，所述第二沟槽部分（262a，262b，262c，262d）布置在所述第一沟槽部分（261a， 261b，261c，261d）下方，并且其中，在所述绝缘栅双极型晶体管（20，30，40，50）的横向方向上，所述第二宽度大于所述第一宽度。 

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，沿着所述第一沟槽部分（261a，261b，261c，261d），所述第一沟槽部分的所述第一宽度一致。 

5.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述至少一个第一沟槽和所述至少一个第二沟槽都包括将电极（26）至少与所述源区（25）以及所述体区（24，34）电绝缘的绝缘层（27）。 

6.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述第一沟槽部分（261a，261b，261c，261d）邻近所述体区（24），所述第二沟槽部分（262a，262b，262c，262d）邻近所述体区（24）和所述漂移区（23）。 

7.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述第一沟槽部分（261a，261b，261c，261d）邻近所述体区（24）和所述漂移区（23），所述第二沟槽部分（262a，262b，262c，262d）邻近所述体区（24）。 

8.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述至少一个第一沟槽和所述至少一个第二沟槽在所述漂移区（23）中延伸至相同深度。 

9.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述至少一个第一沟槽（26a，26c） 和所述至少一个第二沟槽（26b，26d）在所述半导体本体（31）的水平延伸方向上交替布置。 

10.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，多个所述第一沟槽（26a，26c；46a）和多个所述第二沟槽（26b，26d；46b）在所述半导体本体（31）的水平延伸方向上按照1:1的数量比例进行布置。 

11.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），其特征在于，所述第一沟槽（26a，26c；46a）的数量大于所述第二沟槽（26b，26d；46b）的数量。