[实用新型]场效应半导体器件

权利要求书

1.一种场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，包括：

发射极；以及

半导体主体，其中，所述半导体主体包括：

第一基区（24、34、44），具有第一导电类型；

源极区（25、35、45），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并与所述第一基区（24、34、44）形成第一pn结；以及

至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽填充有栅电极，且其中，所述至少一个沟槽具有第一沟槽部分（261）和第二沟槽部分（262），所述第一沟槽部分（261）具有第一宽度，所述第二沟槽部分（262）具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度；

栅极绝缘部（27），部分与所述第一基区（24、34、44）相邻，

其中，所述第一基区的与所述栅极绝缘部接触的界面是{100}等效晶面。

2.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，还包括：

漂移区，部分与所述沟槽的底部附近的栅极绝缘部相邻，

其中，所述漂移区的在所述第二沟槽部分（262）处与所述栅极绝缘部接触并形成所述沟槽的底部的界面是{100}等效晶面。

3.根据权利要求2所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，

所述第一基区的在所述第一沟槽部分（261）处与所述栅极绝缘部接触的界面是（100）晶面，以及

所述漂移区的与所述栅极绝缘部接触并在所述第二沟槽部分（262）处形成所述沟槽的底部的界面是（001）晶面。

4.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，还包括：

层间电介质（28），位于所述源极区（25、35、45）上方并部分与所述源极区（25、35、45）相邻，

其中，所述源极区（25、35、45）的与所述层间电介质（28）接触的界面是{100}等效晶面。

5.根据权利要求4所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，

所述源极区的与所述层间电介质接触的界面是（001）晶面，以及

所述第一基区（24、34、44）的在所述至少一个沟槽的所述第一沟槽部分（261）处与所述栅极绝缘部接触的界面是（100）晶面。

6.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述第一基区（24、34、44）的与所述栅极绝缘部接触的界面是硅{100}等效晶面。

7.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述栅极绝缘部包括栅极电介质层。

8.根据权利要求7所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述栅极电介质层包括具有约为10以上的相对电容率的高k电介质层。

9.根据权利要求8所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述高k电介质层包括HfO₂、TiO₂、钛酸钡和钛酸锶钡中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述栅极电介质层包括高k电介质层与电介质材料层的堆叠层，所述高k电介质层包括HfO₂、TiO₂、钛酸钡和钛酸锶钡中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述场效应半导体器件是沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

12.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述场效应半导体器件是沟槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

13.根据权利要求1所述的场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，所述第二沟槽部分（262）在绝缘栅双极型晶体管（30）的垂直方向上被布置在所述第一沟槽部分（261）下方，且其中，所述第二宽度在所述绝缘栅双极型晶体管（30）的横向方向上大于所述第一宽度。