[实用新型]超强高性能按键电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种超强高性能按键电路。

背景技术

在做项目(工程)的时候，我们经常设计要用到比较多的按键，由于芯片IO口数量有限，资源紧张，于是我们就想方设法地在别的模块中节省IO口，好不容易挤出一两个IO口，却发现仍然不能满足我们按键数量的要求，在某些情况下必然导致增加一个或者若干个IC用来增加按键扫描IO口。虽然单个IC价格不高，但对于成批量生产而且产品利润空间小的厂家来说，这也是一笔不小的成本支出！所以我们在做项目设计中如何使用最少的IO口做最多的按键这是一个重点解决的问题。解决这个问题不仅在技术上有挑战性而且在经济价值上都具有深远意义。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种增强芯片IO扫键性能，增加扫键个数，提高芯片IO口利用率的超强高性能按键电路。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种超强高性能按键电路，包括按键电路，及设在按键电路上的按键，及设在按键电路上的IO口，以及设在按键电路上的肖特基二极管，所述肖特基二极管将其两个阳极跨接在两个IO口上，其阴极接按键链接两个按键到另外两个IO上。

进一步地，所述肖特基二极管还可接一个按键对地，将4个IO的按键逻辑增加两种扫描逻辑方式，即对跨接于IO口上肖特基二极管BAT54C利用其单向导通性，利用三个IO口的逻辑关系判断相应的按键动作扫描。

进一步地，所述肖特基二极管为肖特基二极管BAT54C。

采用上述技术方案的超强高性能按键电路，在IO口扫键设计上增加肖特基二极管BAT54C，提高芯片IO口利用率，在扫键方式上独特的的扫描逻辑高效准确的判断动作，按键扫描的独立性与高效性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型附超强高性能按键电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

如图1所示，一种超强高性能按键电路，通过增加一个肖特基二极管BAT54C的阳极跨接于IO1和IO2两个口上，阴极接K9到IO3接K8到IO4还可以通过接K7到地，这样就增加三个按键扫描，在扫描方式上增加了通过三个IO口扫描一个按键和两个IO通过肖特基二极管扫描对地按键，这样的扫描逻辑更在性能上更稳定，利用了三个电平逻辑来扫描按键使我们常规扫描所带来的按键窜键的问题得到良好的改善。扫描方式具体可归结为：四个IO口通过对地按键检测4个对地按键，3个按键是通过相邻两个IO的逻辑电平检测，另外三个通过两个间隔的IO口的逻辑电平检测。增加部分是通过肖特基二极管BAT54C扫描的三个按键。这样我们通过增加BAT54C使IO扫描外挂扫键个数得到的提升，在扫键能力上得到了增强。在IO利用率上提升。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。