[实用新型]使用垂直型NPN晶体管的静电放电夹

权利要求书

1.一种使用NPN型晶体管的静电放电夹，其特征是：包含一个拥有导电性的半导体衬底；第一个拥有相反导电性的半导体区域紧靠上述衬底的表面，在该区域有一个垂直的含有发射极、基极和集电极区域的双极性晶体管；上述集电极区域耦合地连接到上述输入终端和二极管，再连接到上述衬底；上述基极区域通过一个限流电阻元件耦合连接到上述发射极区域；上述垂直的双极型晶体管有一个低于预选电压集电极和基极之间的击穿电压，使该垂直的双极晶体管在输入到上述输入终端的电压值低于预选击穿电压时不工作；在上述输入电压大于预选电压时，建立一个释放上述输入端的多余电量的电流通路。

2.根据权利要求1所述的一种使用NPN型晶体管的静电放电夹，其特征是：包含一个双极电路并且上述晶体管的击穿电压相当于上述垂直的双极型晶体管的集电极和基极区域间的击穿电压；上述第一个半导体区域生长在上述衬底的外延层；上述完整电路包含一个biCMOS电路和相当于上述垂直的双极型晶体管的集电极和基极区域间的击穿电压；上述第一个区域是上述衬底的掺杂区域。

3.根据权利要求2所述的一种使用NPN型晶体管的静电放电夹，其特征是：包含一个P-掺杂半导体衬底和一个在该衬底表面上的N-掺杂半导体层；从上述N-掺杂层伸出一个P-掺杂绝缘层并包围上述N-掺杂层的一个槽座；一个垂直的双向型晶体管安放在该槽座上，该晶体管的集电极通过由上述槽座上的N-掺杂层组成的衬底连接到一个二极管；该晶体管的基极包含上述N-掺杂层上的P-掺杂区域；一个N-掺杂的发射极在上述P-掺杂区域；上述垂直的双极型晶体管有一个低于预选电压集电极和基极之间的击穿电压使该垂直的双极晶体管在输入到上述输入终端的电压值低于预选击穿电压时不工作；在上述输入电压大于预选电压时，建立一个释放上述输入端的多余电量的电流通路；上述基极和发射极用电阻元件连接，集电极和输入终端连接。

4.根据权利要求3所述的一种使用垂直NPN晶体管的静电放电夹，其特征是：上述衬底连接到回路表面；上述集电极进一步包含一个在上述电子管和衬底层之间的N+掺杂区域；上述基极P-掺杂区域紧邻上数述P-掺杂绝缘区域，上述电阻元件包含上述P-掺杂区域的电阻；上述N-掺杂发射极有一个中心开口露出上述基极。

5.根据权利要求4所述的一种使用垂直NPN晶体管的静电放电夹，其特征是：包含P-掺杂半导体衬底和一个在上述P-掺杂半导体衬底表面的N-掺杂外延半导体层；从上述N-掺杂层伸出一个P-掺杂绝缘层并包围上述N-掺杂层的一个槽座；一个垂直NPN晶体管安放在该槽座上，该晶体管的集电极通过由上述槽座上的N+掺杂层组成的衬底连接到一个二极管；该晶体管的基极包含上述N-掺杂层上的P-掺杂区域；一个N-掺杂的发射极在上述P-掺杂区域；在上述槽座表面和N+掺杂区域之间的延伸区使二者可以相联系；上述基极和发射极之间用电阻元件连接；第一个连接器件连接上述集电极和输入终端，第二个连接器件连接上述发射极和上述衬底。

6.根据权利要求5所述的一种使用垂直NPN晶体管的静电放电夹，其特征是：上述基极和发射极通过上述P-掺杂绝缘区连接到上述衬底；上述基极P-掺杂区域紧邻上述P-掺杂绝缘区，上述电阻元件包含上述P-掺杂区域的电阻；使用垂直NPN晶体管的静电放电夹含有一个具有导电性的半导体衬底和一个相反导电性的紧邻上述衬底的半导体区域，一号和二号垂直双极性晶体管安装在上述半导体区域；上述每个晶体管都有一个发射极、一个基极、一个集电极和一个输入终端；上述一号和二号垂直双极性晶体管在输入终端的输入电压低于一号和二号预选电压时不工作；另外，在输入电压大于一号预选电压时，需要建立两个电流通路来释放上述输入终端的电量；第一个连接器将上述一号晶体管的发射极和上述输入终端相连接；一号电阻元件将上述一号晶体管的基极和上述输入终端相连接；第二个连接器将上述二号晶体管的发射极和上述衬底相连接；二号电阻元件将上述二号晶体管的基极和上述衬底相连接。