[实用新型]像素驱动电路、阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、阵列基板以及显示装置。

背景技术

随着科技水平的不断进步提高，OLED(英文：Organic Light-Emitting Diode，中文：有机发光二极管)作为一种发光器件越来越多为人们所熟知并被广泛的应用于高性能显示装置中。OLED因其工艺制备简单、发光亮度高、响应速度快、成本较低、工作温度适中等优点，具有广阔的应用前景。

根据驱动方式的不同，OLED可分为：无源矩阵驱动(英文：Passive Matrix Organic Light Emission Display，缩写：PMOLED)和有源矩阵驱动(英文：Active Matrix Organic Light Emission Display，缩写：AMOLED)两种。无源矩阵驱动工艺简单，成本较低，但是随着显示装置尺寸的增大，单个像素需要更短的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加了功耗。而且增大的瞬态电流会造成扫描线以及数据线上压降变大，提高了所需的工作电压，导致显示效率降低。因此，很多公司企业将关注点更多的集中在有源矩阵驱动方式上。

作为一种常见的有源矩阵驱动的像素驱动电路结构，如图1所示，该像素驱动电路包括：驱动晶体管M1、开关晶体管M2、有机发光二极管OLED以及电容C1。当扫描电压为高电平时，开关晶体管M2导通，高电平的数据电压信号Vdata对电容C1充电；当扫描电压为低电平时，开关晶体管M2截止，电容C1放电并保持驱动晶体管M1处于导通状态。因此，在正常工作过程中，驱动晶体管M1处于饱和导通状态。也就是说，在整个工作周期中，OLED处于恒流控制过程。根据晶体管的漏电流计算公式可知，发光二极管OLED的驱动电流满足下述公式：IOLED=12μn·Cox·WL·(Vgs-Vthn)2=12μn·Cox·WL·(Vg-Vs-Vthn)2,]]>其中，μ_n为载流子迁移率，C_OX为单位面积下的栅绝缘膜电容值，W/L为驱动晶体管M1的宽长比，(Vgs-Vthn)为驱动晶体管M1的过驱动电压。其中，Vgs为驱动晶体管M1的栅极与源极之间的电压差，Vthn为驱动晶体管M1的阈值电压。进一步的，Vgs＝Vg-Vs＝Vdata-(VOLED+ARVSS)，Vdata为数据电压，VOLED为OLED的工作电压，ARVSS为公共接地端电压。由此可见，通过控制数据电压Vdata可起到控制驱动OLED的恒定电流的效果，而OLED的发光亮度又与该恒定电流成正比，因此，通过控制数据电压Vdata可以起到改变OLED发光亮度的目的。

但发明人在研发过程中发现现有技术至少存在以下缺陷：因工艺限制或者长时间加压和高温下产生的漂移现象，现有技术像素驱动电路各驱动晶体管的阈值电压Vthn是不同的，导致各驱动晶体管的过驱动电压不一致，阈值电压的非均匀性最终会导致显示装置的显示亮度有所差异。

发明内容

本实用新型的实施例提供一种像素驱动电路、阵列基板以及显示装置，通过补偿驱动晶体管的阈值电压，消除了阈值电压非均匀性的问题，提高了显示装置的显示效果。