[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320207929.2 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN203351587U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;刘春元 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括多个导电柱的衬底；
设置在导电柱之间的半导体管芯；
沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱的密封剂；和
形成在半导体管芯、密封剂和导电柱上的互连结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括形成在半导体管芯、密封剂和导电柱上的绝缘层。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，导电柱为圆形、矩形或锥形的形状，或者所述导电柱具有较宽的两端和较窄的中间部分。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱的半导体封装。
5.一种半导体器件，包括：
包括多个电隔离的导电柱的衬底；
设置在电隔离的导电柱之间的半导体管芯；
沉积在半导体管芯上并且围绕电隔离的导电柱的密封剂；和
形成在半导体管芯、密封剂、和电隔离的导电柱上的互连结构。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括形成在半导体管芯、密封剂、和电隔离的导电柱上的绝缘层。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，半导体管芯在电隔离的导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。
8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，电隔离的导电柱为圆形、矩形或锥形的形状，或者所述电隔离的导电柱具有较宽的两端和较窄的中间部分。
9.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括设置在半导体管芯上并且电连接到电隔离的导电柱的半导体封装。
10.一种半导体器件，包括：
多个导电柱，该多个导电柱在导电柱之间具有固定间隔；
设置在导电柱之间的半导体管芯；
沉积在半导体管芯上并围绕导电柱的密封剂；和
形成在半导体管芯和导电柱上的互连结构。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其中导电柱是电隔离的。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括形成在半导体管芯、密封剂、和导电柱上的绝缘层。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。
14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，导电柱为圆形、矩形或锥形的形状，或者所述导电柱具有较宽的两端和较窄的中间部分。
15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱的半导体封装。
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