[实用新型]光源组件有效
| 申请号: | 201320206700.7 | 申请日: | 2013-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN203242622U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
| 发明(设计)人: | 陈正言;李允立;苏柏仁 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光源 组件 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种光源组件,且特别是有关于一种以发光二极管晶片作为光源的光源组件。
背景技术
发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝高功率发展,因此其应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来,发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
一般来说,发光二极管光源组件是将多个发光二极管晶片以矩阵排列的方式配置于基板上。然而,相邻两发光二极管晶片所发出的侧向光会被彼此所吸收,因而导致发光二极管晶片所发出的侧向光无法有效被利用,进而降低发光二极管光源组件的出光效率。
发明内容
本实用新型提供一种光源组件,其具有良好的出光效率。
本实用新型的光源组件包括一基板、多个第一发光二极管晶片与至少一第二发光二极管晶片。基板具有一上表面。多个第一发光二极管晶片配置于上表面上且与基板电性连接。第二发光二极管晶片配置于上表面上且与基板电性连接。每一第一发光二极管晶片相对远离基板的上表面的一顶面至上表面相隔一第一距离,第二发光二极管晶片相对远离基板的上表面的一顶面至上表面相隔一第二距离,且第二距离大于每一第一距离。
在本实用新型的一实施例中,上述的基板包括多个第一接垫与多个第二接垫。多个第一接垫内埋于基板的上表面,其中每一第一接垫的一表面略切齐于基板的上表面。每一第一发光二极管晶片经由相对应的第一接垫电性连接基板。多个第二接垫配置于基板的上表面上,其中第二发光二极管晶片经由相对应的第二接垫电性连接基板。
在本实用新型的一实施例中,上述的每一第一发光二极管晶片包括一第一晶片基板、一第一半导体层以及多个第一电极。第二发光二极管晶片包括一第二晶片基板、一第二半导体层以及多个第二电极。第二晶片基板的厚度大于每一第一晶片基板的厚度,且第一电极与第二电极皆配置于基板的上表面上。
在本实用新型的一实施例中,上述的第二晶片基板的厚度介于每一第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d’’倍之间,其中S为第一发光二极管晶片与第二发光二极管晶片间距,d”为第一晶片基板的厚度,θ为第一发光二极管晶片的出光角。
在本实用新型的一实施例中,上述的第二发光二极管晶片位在任两相邻的第一发光二极管晶片之间。
在本实用新型的一实施例中,上述的第一发光二极管晶片围绕第二发光二极管晶片。
在本实用新型的一实施例中,上述的第一发光二极管晶片为多个覆晶式发光二极管晶片。
在本实用新型的一实施例中,上述的第二发光二极管晶片为一覆晶式发光二极管晶片。
在本实用新型的一实施例中,上述的第二距离为每一第一距离的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之间,其中S为第一发光二极管晶片与第二发光二极管晶片间距,d为第一距离,θ为第一发光二极管晶片的出光角。
在本实用新型的一实施例中,上述的第二发光二极管晶片侧表面具有高反射率的物质。
基于上述,由于本实用新型的光源组件是利用第二发光二极管晶片相对远离基板的上表面的一顶面到基板的上表面的距离大于每一第一发光二极管晶片相对远离基板的上表面的一顶面到基板的上表面的距离,因此第二发光二极管晶片可有效反射来自第一发光二极管晶片的侧向光线,进而使光源组件具有良好的出光效率。
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本实用新型的一实施例的一种光源组件的剖面示意图;
图2为本实用新型的另一实施例的一种光源组件的剖面示意图;
图3为本实用新型的又一实施例的一种光源组件的俯视示意图;
图4为本实用新型的再一实施例的一种光源组件的俯视示意图。
附图标记说明:
100、200、300、400:光源组件;
120、220、320:基板;
120a、220a:上表面;
124:第一接垫;
124a:表面;
126:第二接垫;
140、240、340、440:第一发光二极管晶片;
140a、160a、240a、260a:顶面;
160、260、360、460:第二发光二极管晶片;
242:第一晶片基板;
244:第一半导体层;
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