[实用新型]一种三波分复用器有效
| 申请号: | 201320199902.3 | 申请日: | 2013-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN203204195U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 吴克非;陆昇;刘勇;张晓川 | 申请(专利权)人: | 杭州天野通信设备有限公司 |
| 主分类号: | G02B6/293 | 分类号: | G02B6/293 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
| 地址: | 311400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 三波分复用器 | ||
技术领域
本实用新型属于波分复用器技术领域,具体涉及一种三波分复用器。
背景技术
现有技术中,对1550nm、1310nm和1490nm三个波长光波分离多采用分立的光学元件实现。这些分立的器件体积较大,使用不方便,制备工艺复杂,不利于器件的集成。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型的目的在于设计提供一种三波分复用器的技术方案,该三波分复用器结构紧凑、体积小,使用方便。
所述的一种三波分复用器,其特征在于包括三波分复用器模块,所述的三波分复用器模块包括复合设置的衬底层、下包层、芯层和上包层,所述的三波分复用器模块的第一输出端、第二输出端和第三输出端上分别固定设置1550nm、1310nm和1490nm滤波片中的任意一种滤波片。
所述的一种三波分复用器,其特征在于所述的下包层厚度为16微米。
所述的一种三波分复用器,其特征在于所述的芯层厚度为6微米。
所述的一种三波分复用器,其特征在于所述的上包层厚度为16微米。
上述的一种三波分复用器,结构简单,设计合理,与现有技术相比其具有以下优点:
1)损耗对传输光波长不敏感、可以满足三个波长的传输需要;
2)机械性能以及环境稳定性好;
3)结构紧凑,体积小,制备工艺简单,可以直接安装在现有的各种交接箱内,不需要留出很大的安装空间;
4)易实现与现有有源、无源器件的集成;
5)生产成本低,性价比高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型中三波分复用器模块的结构示意图。
图中:1-输入光信号;2-三波分复用器模块;3-滤波片;4-输出光信号;201-衬底层;202-下包层;203-芯层;204-上包层。
具体实施方式
以下结合说明书附图来进一步说明本实用新型。
如图所示,一种三波分复用器包括三波分复用器模块2和滤波片3。
三波分复用器模块2包括复合设置的衬底层201、下包层202、芯层203和上包层204。其中下包层202厚度为16微米,芯层203厚度为6微米,上包层204厚度为16微米。三波分复用器模块2的第一输出端、第二输出端和第三输出端上分别固定设置1550nm、1310nm和1490nm滤波片中的任意一种滤波片3。
工作时,输入光信号1(三波段:1310nm、1490nm、1550nm)输入三波分复用器模块2,经三波分复用器模块2后通过第一输出端、第二输出端和第三输出端的滤波片3分别输出1310nm、 1490nm、 1550nm的输出光信号4。
上述三波分复用器的制备方法如下:
1)选择石英作为衬底层201材料,并对其表面进行抛光;
2)在衬底层201上通过CVD方法沉积下包层202,其厚度为16微米;
3)采用CVD方法沉积芯层203,其厚度为6微米,然后对芯层203进行光刻和刻蚀,将完好的设计图转移到芯层203上,形成6X6微米的波导芯层图案;
4)采用CVD方法沉积上包层204,将芯层203覆盖,厚度为16微米;
5)将晶圆切割成芯片,并进行贴盖板、固化;
6)芯片的第一输出端、第二输出端和第三输出端上分别粘上1550nm、1310nm和1490nm滤波片中的任意一种滤波片3,以实现三波长的复用功能;
7)最后通过封装,得到三波分复用器。
以上所述及图中所示的仅是本实用新型的优选实施方式。应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以作出若干变型和改进,这些也应视为属于本实用新型的保护范围。
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