[实用新型]一种具有散射结构的发光二极管及照明系统有效
| 申请号: | 201320199874.5 | 申请日: | 2013-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN203250787U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 蒙成;吴俊毅;陶青山;吴超瑜;蔡文必 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 散射 结构 发光二极管 照明 系统 | ||
1.一种具有散射结构的发光二极管,包括:衬底;外延层,位于所述衬底上,其中外延层从上至下依次包含第一型半导体层、发光区和第二型半导体层;第一电极,位于第一型半导体层之上;其特征在于:由粗化透光层和第一反射层构成的散射结构形成于所述第一电极与所述外延层之间,其几何尺寸在垂直方向上不大于第一电极的尺寸,其中所述粗化透光层与外延层接触的下表面呈粗化状,所述粗化透光层与第一反射层接触的上表面呈平整状。
2.根据权利要求1所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述发光二极管还包括位于衬底之下的第二反射层或者介于衬底与外延层之间的第二反射层。
3.根据权利要求1所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述粗化透光层为低折射率绝缘介质层或者低折射率导电介质层。
4.根据权利要求1所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述粗化透光层的折射率小于第二型半导体层的折射率。
5.根据权利要求1所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述第一反射层选用分布布拉格反射层或者金属反射层。
6.根据权利要求2所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述第二反射层选用分布布拉格反射层或者金属反射层或者全方位反射层。
7.根据权利要求5或6所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述金属反射层选用Al或者Ag或者Ni。
8.根据权利要求1所述的一种具有散射结构的发光二极管,其特征在于:所述衬底选用GaP或者GaAs或者Al2O3或者SiC或者Si。
9.一种照明系统,其特征在于:其包含一系列前述权利要求1~8所述的任意一种发光二极管。
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