[实用新型]一种阵列基板以及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板以及液晶显示装置。 

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT显示装置日益深入人们的日常生活中，液晶显示装置（Liquid Crystal Display：简称LCD）是平板显示装置中的一种。液晶显示装置的主要构成部件是液晶面板，液晶面板主要包括彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶。其中，在阵列基板或彩膜基板中还设置有用于产生电场的电极，根据电极的结构设置可以决定液晶的偏转，进而影响液晶面板的显示。液晶面板上具有多个像素点（一般包括RGB三个子像素单元），在成像过程中，每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）来控制，实现有源驱动，从而实现图像显示。薄膜晶体管作为控制开关，是实现LCD显示装置显示的关键，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。 

随着液晶显示技术的发展，同时为了满足人们对高亮度、高对比度、低能耗的要求，高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS，又称ADSDS）应运而生。在现有技术中，ADS型阵列基板中通常包括位于液晶盒同一侧的两层电极，其中一层为狭缝电极，另一层为板状电极。通过狭缝电极边缘与板状电极层间产生的电场、以及狭缝电极之间产生的电场共同形成多维电场，使液晶盒内的液晶分子都能够发生偏转，从而提高了液晶工作效率并增大了视角。高级超维场转换技术可以提高像素的开口率，进而提升亮度，降低能耗，提升液晶显示面板的品 质等级，提高TFT-LCD产品的画面品质。 

一般的，在ADS型阵列基板中，子像素单元中处于下层的电极为板状的公共电极（Com），上层的电极为狭缝状的像素电极（Pixel）；在H-ADS（High aperture ADS，高开口率ADS）型阵列基板中，子像素单元中处于下层的电极为板状的像素电极，像素电极与TFT的漏电极相连，而上层的为狭缝状的公共电极。在H-ADS型阵列基板中，由于像素电极被其上方的钝化层（PVX）与公共电极所覆盖，在阵列基板制备完成后，对子像素单元中的TFT进行电学特性测试（例如TFT开关电流、阈值电压及电子迁移率的测试）时，测试探针无法接触到像素电极或漏电极，导致TFT特性无法测量，进一步导致对TFT电学性能的监控相当不便。因此，如何提高阵列基板中像素电极的测试便捷性，提高阵列基板的产品质量成为目前业界亟待解决的问题。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板以及液晶显示装置，通过测试电极将处于内层的像素电极或漏电极的信号直接引到了子像素单元的最上层，可以很方便地测试TFT的电学性能，解决了原有设计TFT电学性能难以测量的问题。 

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是提供一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多个子像素单元，所述子像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极电连接，所述钝化层覆盖所述源电极、漏电极和像素电极，所述子像素单元还包括与所述像素电极电连接，且在所述子像素单元的表面裸露的测试电极。 

优选的是，在所述子像素单元中，所述钝化层覆盖所述漏电极的区域开设有过孔，所述测试电极从所述漏电极上表面穿过所述过孔并突出于所述钝化层的表面，所述测试电极与所述漏电极 电连接。 

优选的是，所述测试电极突出于所述钝化层的表面部分的横截面的面积大于所述过孔的横截面的面积。 

优选的是，所述公共电极设置于所述钝化层的上方，呈梳状分布，且与所述测试电极绝缘。 

优选的是，还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述栅电极的上方，所述有源层位于所述栅绝缘层上方对应栅电极的位置，所述源电极、漏电极位于有源层上方的两侧，所述漏电极延伸至栅绝缘层上方与所述像素电极搭接，或者所述漏电极延伸至像素电极上方与所述像素电极搭接。 

优选的是，所述测试电极与所述公共电极的材料相同，均采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种形成。 

进一步优选的是，所述阵列基板中每一个子像素单元中均包括有所述测试电极；或者，每N个相邻的子像素单元中的其中一个子像素单元中包括有所述测试电极，其中，N为大于等于2的正整数。 

一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。