[实用新型]圆片封装结构有效
| 申请号： | 201320195459.2 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN203288579U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 缪小勇 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种圆片封装结构，其特征在于，包括半导体芯片，所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层，所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面，在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层，所述金属再配线层表面开设有凹槽，所述金属再配线层上表面还设置有铜柱凸点，所述铜柱凸点位于凹槽以外的金属再配线层上表面上。
2.根据权利要求1所述的圆片封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度不超过金属再配线层厚度的一半。
3.根据权利要求1所述的圆片封装结构，其特征在于，所述凹槽的截面呈倒梯形。
4.根据权利要求1所述的圆片封装结构，其特征在于，所述凹槽的宽度不大于金属再配线层宽度的一半。
5.根据权利要求1所述的圆片封装结构，其特征在于，所述保护层为耐热金属层。
6.根据权利要求1所述的圆片封装结构，其特征在于，所述金属再配线层的厚度大于12um。
7.根据权利要求5所述的圆片封装结构，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛或铬或钽；或/和所述种子层为铜或铝或镍。
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