[实用新型]一种有机电致发光器件模组

说明书

技术领域

本实用新型属于OLED制造领域，涉及一种有机电致发光器件结构，具体涉及一种有机电致发光器件模组。

背景技术

作为21世纪最具潜力显示技术，被誉为梦幻显示的有机电致发光显示器件OLED，越来越受到人们的广泛关注。自从1987年C.W.Tang等首次提出高亮度的OLEDs以及器件结构以来，由于OLEDs的全固态、主动发光、颜色丰富和响应速度快、超薄及可实现柔性显示等优势，展现出它的良好的应用前景。几十年在该领域的广泛研究，人们主要致力于研制出高性能，并可用于照明或者显示及全彩色化的发光器件。经过几十年的发展，OLEDs在亮度、效率和寿命以及材料、结构上都取得了显著进展。然而，进一步对于器件结构发光光谱纯度、提高亮度和提高效率仍是OLED器件的重要研究课题。

有机电致发光要获得最优的发光亮度和发光效率，不仅要求电子和空穴能进行有效的注入和复合，而且要求电子和空穴注入的平衡。因此，合适的器件结构与材料对于OLED器件的亮度、效率和稳定性等方面有很大的影响。器件的发光主要取决于载流子在复合域的复合，而载流子的复合又与载流子的注入、迁移率、界面势垒等因素有关。

实用新型内容

本实用新型目的在于克服现有技术中存在的问题，提供了一种高效、高亮度、生产工艺又简单的有机电致发光器件模组。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：包括ITO玻璃基板，以及依次成堆叠装蒸镀在ITO玻璃基板上的空穴产生层、空穴注入层、电子阻挡层、第一发光层、BCP调节层、第二发光层、BCP空穴阻挡层、电子注入层以及电子产生层；所述ITO玻璃基板上引出正极引线，电子产生层上引出负极引线且正极引线和负极引线之间连接有直流电源。

上述的空穴产生层的厚度为10～100nm。

上述的空穴注入层的厚度为30nm～60nm。

上述的电子阻挡层的厚度为10nm～20nm。

上述的第一发光层的厚度为15nm～30nm。

上述的BCP调节层的厚度大于0nm，且小于等于10nm。

上述的第二发光层的厚度为15nm～30nm。

上述的BCP空穴阻挡层的厚度为10nm～20nm。

上述的电子注入层的厚度为30nm～60nm。

上述的电子产生层的厚度为10～100nm，电子产生层为自下而上分层设置的LiF层和Al层，其中负极引线与Al层相连。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型将把八个功能层依次按顺序蒸镀在ITO玻璃基板表面，利用BCP阻挡电子传输的作用，在两个发光层之间蒸镀一层BCP调节层来调节激子的复合发光，并对BCP调节层进行了优化，使整个OLED发光器件在4纳米时效率达到最高，不仅调节了载流子在隧穿与阻挡的平衡，使器件效率达到最高，同时还能有效地降低效率滚降。另外，由串联的整个功能层两端引出两个引线，这对金属引线与直流电源相连，对器件两端加上电压，最终得到亮度更强，效率更高的有机电致发光器件。

附图说明

图1为本实用新型整体结构示意图。

其中，1为ITO玻璃基板；2为空穴产生层；3为空穴注入层；4为电子阻挡层；5为第一发光层；6为BCP调节层；7为第二发光层；8为BCP空穴阻挡层；9为电子注入层；10为电子产生层；11为负极引线；12为正极引线。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细的描述：

参见图1，本实用新型包括ITO玻璃基板1，以及依次成堆叠装蒸镀在ITO玻璃基板1上的厚度为10～100nm的空穴产生层2、厚度为30nm～60nm的空穴注入层3、厚度为10nm～20nm的电子阻挡层4、厚度为15nm～30nm的第一发光层5、BCP调节层6、厚度为15nm～30nm的第二发光层7、厚度为10nm～20nm的BCP空穴阻挡层8、厚度为30nm～60nm的电子注入层9以及厚度为10～100nm的电子产生层10，其中，BCP调节层6的厚度大于0nm，且小于等于10nm；所述电子产生层10为自下而上分层设置的LiF层和Al层，其中负极引线11与Al层相连；所述ITO玻璃基板1上引出正极引线12，电子产生层10上引出负极引线11且正极引线12和负极引线11之间连接有直流电源。

本实用新型具体的蒸镀方法为：