[实用新型]具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片

权利要求书

1.具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，每个发光单元从下至上顺次包括衬底、缓冲层、n型半导体材料、多量子阱发光层、p型半导体材料、电流扩展层和钝化层，覆盖于发光单元除电极外的表面，其特征在于发光单元之间的隔离沟槽填充有绝缘材料，发光单元之间的连接桥位于所述绝缘材料上方。

2.根据具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其特征在于，所述钝化层包括第一层钝化层和第二层钝化层，所述绝缘材料封闭在第一层钝化层和第二层钝化层之间；除绝缘材料处的第一层钝化层和第二层钝化层外，其他地方的第一层钝化层和第二层钝化层层叠在一起。

3.如权利要求2所述的具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其特征在于第一层钝化层的厚度为200nm-700nm，第二层钝化层的厚度为500nm-1000nm。

4.如权利要求2所述的具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其特征在于绝缘材料的上表面与第一钝化层的上表面齐平。