[实用新型]一种显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术，尤其是一种显示面板及显示装置。

背景技术

对于采用薄膜晶体管的显示装置来说，漏电流（Ioff）对于产品的串扰（Crosstalk）、电压闪变（Flicker）、影像残留（Image Sticking）等有重要的影响，通过减少漏电流可以降低产品的串扰、电压闪变、影像残留，提升产品效果。然而，现有技术中没有相应的结构，可以通过阻挡侧向光射入薄膜晶体管的沟道区域，进而有效降低漏电流。

以液晶面板为例，图1为现有技术的液晶面板的局部剖面图，如图1所示，现有技术的液晶面板，包括：第一基板2、第二基板4及两者之间的液晶层3，所述第一基板上形成有像素单元阵列，每个像素单元中包括薄膜晶体管，如图1中两个虚线椭圆框所示，所述像素单元还包括薄膜晶体管区域202和像素电极区域203，所述薄膜晶体管区域202就是该像素单元的薄膜晶体管所占用的区域，而像素电极区域203一般是显示区域，即像素电极所占用的区域，一般情况下黑矩阵401设于薄膜晶体管区域的对应区域，而不设于像素电极区域的对应区域，以避免影响显示效果。

现有技术中主要通过薄膜刻蚀工艺来改善漏电流。薄膜刻蚀技术是一种使用物理或化学的方法使薄膜材料消蚀的技术，形成具有一定形状和大小的图形薄膜的方法是在镀膜过程中使用掩模板，使基体表面裸露部分生长有薄膜材料，而被掩盖部分则不存在薄膜。

然而现有技术中通过薄膜刻蚀工艺来减少漏电流的技术方案往往具有实现难度大、实施成本较高的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种显示面板及显示装置，使用彩膜工艺（CF，Color Filter）在显示面板形成遮光结构，用于解决通过薄膜刻蚀工艺来改善漏电流的技术方案具有实现难度大、实施成本较高的问题，通过遮光结构阻挡侧向光射入薄膜晶体管的沟道区域，进而有效地降低显示面板的漏电流。

本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板，所述第一基板上形成有像素单元阵列，所述像素单元中包括薄膜晶体管，还包括：

遮光结构，覆盖在所述薄膜晶体管的沟道处，且所述遮光结构在所述第一基板上的投影区域覆盖所述沟道在第一基板上的投影区域。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述遮光结构在所述第一基板上的投影区域与所述像素单元中的像素电极区域不交叠。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述第二基板上形成有黑矩阵，所述遮光结构在所述第一基板上的投影区域不超出所述黑矩阵在所述第一基板上的投影区域。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述遮光结构是遮光围栏，所述遮光围栏与所述第一基板和所述第二基板形成不透光的中空结构，所述薄膜晶体管的沟道位于中空结构中。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述遮光结构由黑矩阵构成。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述遮光结构由堆叠彩膜构成。

进一步，本实用新型所述的显示面板，所述遮光结构由不透明隔垫物构成。

本实用新型还提供一种显示装置，所述显示装置包括本实用新型所述的显示面板。

本实用新型提供一种显示面板及显示装置，通过遮光装置阻挡侧向光射入薄膜晶体管的沟道区域，进而有效地降低漏电流，降低了显示装置的串扰、电压闪变、影像残留，提升了显示装置的显示品质。

附图说明

图1为现有技术的液晶面板的局部剖面图；

图2是本实用新型实施例所述的显示面板的侧面局部剖视图；

图3是本实用新型实施例所述的图2中虚线区域A的局部放大图；

图4是本实用新型实施例所述的遮光围栏的侧面局部剖视图；

图5是本实用新型实施例所述的图4中虚线区域B的局部放大图；

图6是本实用新型实施例所述的遮光围栏的俯视局部剖视图；

图7是本实用新型实施例所述的遮光围栏的工作原理示意图。

具体实施方式

为了更好地理解本实用新型，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步描述。

本文中所指的显示面板为液晶面板、OLED面板、柔性面板等一切应用薄膜晶体管的显示面板。

实施例1：