[实用新型]一种新型脉冲电场处理室

说明书

技术领域

本实用新型涉及的是一种采用半导体冷却技术的新型脉冲电场处理室，具体是一种新型新型脉冲电场处理室及方法。

背景技术

脉冲电场处理是通过电源与脉冲发生装置产生交替的脉冲电场和脉冲磁场，对细胞膜进行处理的一种手段，在细胞膜的电穿孔、食品除菌、食品蛋白质组分、食品脂质组分、食品碳水化合物组分和食品其它组分等方面已开展了大量作用机理与影响研究。通常脉冲电场处理系统主要包括：电源装置、脉冲发生装置、新型脉冲电场处理室、冷却系统、温度测定系统等部分。

尽管脉冲电场处理被认为是一种非热技术，但由于电流流过食品会产生欧姆热，温度增加是必然的，特别反复处理时，加热效果更加明显，而新型脉冲电场处理室作为脉冲电场处理食品的重要设备，是食品加热效应发生的主要场所，因此，对新型脉冲电场处理室的有效温控是减小脉冲电场加热效应的重要途径。针对脉冲电场处理过程加热效应，中国发明专利01130064.7直接采用冷却水对电极与新型脉冲电场处理室进行冷却以保证非热灭菌，中国发明专利102349565A也直接采用冷却循环水对电极进行冷却，间接实现处理室处理食品的温度控制，以减少肉制品在处理过程的温度升高。由于脉冲电场对食品的加热效应，直接采用冷却水循环线路冷却复杂，模块化程度低，并且冷却效率低，不能实时调节新型脉冲电场处理室温度等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种模块化程度高，冷却效率高，可实现实时冷却，并且可实时温度的调节新型脉冲电场处理室。

本实用新型目的通过如下技术方案实现：

一种新型脉冲电场处理室，其特征在于包括处理室上模，密封圈，处理室，上电极，下电极，处理室下模和半导体冷却装置；处理室上模和处理室下模的内部都具有从中心向两端的三级阶梯凹槽结构；处理室上模与处理室下模的中心都设有水道，水道两侧开有半导体冷却装置安装孔；处理室内部上下端都设有凹槽，上下凹槽通过中间细孔连接；处理室的上下侧边设有开槽，上电极本体和下电极本体从该开槽伸入；多个半导体冷却装置分成两组，分别嵌入处理室上模和处理室下模的半导体冷却装置安装孔中，插到处理室与上电极或下电极之间的位置；与上电极本体接触一侧的处理室中设有密封圈；

所述半导体冷却装置包括进水部，出水部，冷却外套，环半导体冷却组件，环温度传感器，底半导体冷却组件和冷却外套端盖；进水部的进水腔，出水部的出水腔和冷却外套都为方形空腔结构，进水腔位于出水腔内，出水腔位于冷却外套内；进水腔上端和下端分别设有进水腔端盖和进水腔分流底，进水腔分流底设有通孔；出水腔上支撑环和出水腔下支撑环间隔地套装在进水腔外表面与出水腔内表面之间；出水腔上支撑环和出水腔下支撑环都设有通孔；底半导体冷却组件和环半导体冷却组件都由TEC101705半导体制冷片组成，底半导体冷却组件和环半导体冷却组件都分别与电源连接；底半导体冷却组件通过散热胶固定在出水部底部，环半导体冷却组件的第一环半导体冷却组件、第二环半导体冷却组件、第三环半导体冷却组件和第四环半导体冷却组件分别固定在出水部与冷却外套之间的四个面上；环温度传感器由四个温度传感器组成，分别间隔设置在第一环半导体冷却组件，第二环半导体冷却组件，第三环半导体冷却组件，第四环半导体冷却组件的下端；控制系统分别与环半导体冷却组件、环温度传感器、底半导体冷却组件连接。

进一步地，分别以处理室上模和处理室下模与处理室接触的一面为基准面，沿远离处理室方向，设有密封圈大小和厚度的第一级阶梯凹槽，在第一级阶梯凹槽内部设有的第二阶梯凹槽，在第二级阶梯凹槽内部设有第三阶梯凹槽。所述处理室为圆柱形。所述上电极包括上电极本体、两个方形半导体冷却装置安装孔和四个均布的圆形电极处理液通孔；上电极本体为圆柱体和矩形伸出部连接组成，上电极本体的圆柱体安装在处理室内部，上电极本体的矩形伸出部通过处理室的开槽伸入；所述下电极包括下电极本体、两个方形半导体冷却装置安装孔和四个均布的圆形电极处理液通孔，下电极本体由一圆柱体与矩形伸出部连接组成，下电极本体的圆形部分安装在处理室内部，下电极本体的矩形伸出部通过处理室处理区的开槽伸入。所述进水腔分流底设有四个均匀分布的通孔。所述出水腔上支撑环和出水腔下支撑环都均布四个矩形通孔。冷却外套端盖外缘与冷却外套连接，冷却外套端盖内环与出水部外壁连接。环半导体冷却组件，环温度传感器和底半导体冷却组件通过散热胶与绝缘导热性的冷却外套紧密连接。

相对于现有技术，本实用新型提供的一种新型新型脉冲电场处理室及方法具有以下优点：