[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201320167504.3 申请日: 2013-04-07
公开(公告)号: CN203179897U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 张立;姜春生;王东方;陈海晶;刘凤娟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

基板;

形成在所述基板上的有源层;

形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层;

形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层;

形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极,以及位于所述源极和漏极之间的栅极;以及

形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直方向的投影面积。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一接触层和第二接触层之间的距离为2-3μm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述有源层和所述基板之间用于隔离光线的隔离层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述保护层上的像素电极,所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述保护层下方的漏极电性相连。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1~6任一所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的阵列基板。

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