[实用新型]一种单芯片低噪声放大器有效
| 申请号: | 201320165931.8 | 申请日: | 2013-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN203135797U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 管玉静;袁野;付汀 | 申请(专利权)人: | 成都雷电微力科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42 |
| 代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 王芸;熊晓果 |
| 地址: | 610041 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 低噪声放大器 | ||
1.一种单芯片低噪声放大器,其在单芯片上集成有输入匹配电路,输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源,其输出端顺次串接四级晶体管放大器、输出匹配电路后向外输出,其特征在于:所述四级晶体管放大器包括第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器、第四级晶体管放大器,各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联,各级晶体管放大器分别包括三极管、三级滤波电路,所述三极管的集电极和基极通过三级滤波电路与供电端连接,所述第一级晶体管放大器发射极到地串联有电感,其余各级晶体管放大器中的发射极直接接地。
2.根据权利要求1所述的单芯片低噪声放大器,其特征在于:所述四级晶体管放大器包括的第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器、第四级晶体管放大器均为小尺寸晶体管。
3.根据权利要求1所述的单芯片低噪声放大器,其特征在于:所述四级晶体管放大器为四级pHEMT晶体管放大器。
4.根据权利要求1所述的单芯片低噪声放大器,其特征在于:所述三级滤波电路为三级RC滤波电路。
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